存储器器件、存储器集成电路及其制造方法技术

提供一种存储器器件、一种存储器集成电路及一种存储器器件的制造方法。存储器器件包括复合底部电极、顶部电极及设置在复合底部电极与顶部电极之间的电阻可变层。复合底部电极包括第一底部电极及设置在第一底部电极之上的第二底部电极。第二底部电极的侧壁在侧向上相对于第一底部电极层的侧壁及电阻可变层的侧壁凹陷。壁凹陷。壁凹陷。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件、存储器集成电路及其制造方法


[0001]本公开是涉及一种存储器器件、存储器集成电路及其制造方法。

技术介绍

[0002]很多现代电子器件均含有被配置成储存数据的电子存储器。电子存储器可以是挥发性存储器或非挥发性存储器。挥发性存储器在被供电时储存数据，而非挥发性存储器即使被移除电力仍能够储存数据。电阻式随机存取存储器(Resistive random access memory，RRAM)由于其结构简单且其可与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor，CMOS)逻辑电路制作工艺兼容而成为下一代非挥发性存储器技术的潜力候选者。

技术实现思路

[0003]在本公开的一方面，提供一种存储器器件。所述存储器器件包括复合底部电极、顶部电极及设置在所述复合底部电极与所述顶部电极之间的电阻可变层。所述复合底部电极包括第一底部电极及设置在所述第一底部电极之上的第二底部电极。第二底部电极的侧壁在侧向上相对于所述第一底部电极层的侧壁及所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：复合底部电极；顶部电极；以及电阻可变层，设置在所述复合底部电极与所述顶部电极之间，其中所述复合底部电极包括第一底部电极及设置在所述第一底部电极之上的第二底部电极，且所述第二底部电极的侧壁在侧向上相对于所述第一底部电极的侧壁及所述电阻可变层的侧壁凹入。2.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：硬掩模，设置在所述顶部电极之上。3.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：钝化层，覆盖所述复合底部电极、所述电阻可变层及所述顶部电极。4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中所述钝化层与所述复合底部电极的所述第二底部电极的所述侧壁实体接触。5.根据权利要求3所述的存储器器件，其中空气隙位于所述第二底部电极的所述侧壁与所述钝化层之间。6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二底部电极的所述侧壁具有弯曲表面，且所述第二底部电极的所述侧壁的最凹部分位于所述电阻可变层的底表面处。7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二底部电极的所述侧壁具有弯曲表面，且所述第二底部电极的所述侧壁的最凹部分位于所述第二底部电极的大约一半厚度处。8.一种存储器集成电路，包括：多个存储胞，排列成阵列，其中所述多个存储胞中的每一者包括存储器器件，且所述存储器器件包括复合底部电极、顶部电极、位于所述复合底部电极与所述顶部电极之间的电阻可变层及覆盖所述顶部电极、所述电阻可变层及所述复合底部电极的钝化层，其中所述复合底部电极包括第一底部电极及设置在所述第一底部电极之上的第二底部电极，且所述第二底部电极的侧壁在侧向上相对于所述第一底部电极的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋福庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：