一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以改善现有技术中的显示面板在提高光取出方式上存在工艺复杂，周期性结构的均一性较差的问题。所述显示面板，包括衬底基板，位于衬底基板一侧的第一电极，位于所述第一电极的背离所述衬底基板一侧的电荷辅助层，以及位于所述电荷辅助层的背离所述第一电极一侧的第二电极；所述电荷辅助层的背离所述第一电极的表面具有多个呈阵列分布的凹凸结构，所述电荷辅助层混合有生酸剂，所述生酸剂在所述电荷辅助层不同厚度区域的含量不同。剂在所述电荷辅助层不同厚度区域的含量不同。剂在所述电荷辅助层不同厚度区域的含量不同。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管显示器(Quantum Dots Light Emitting Doide Display,QLED)是基于有机发光显示器的基础上发展起来的一种新型显示技术。而两者存在的区别是QLED里的发光层为量子点层，它的原理是电子/空穴通过电子/空穴传输层注入到量子点层，电子和空穴在量子点层中复合发光。与有机发光二极管显示器件相比，QLED具有发光峰窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。
[0003]目前，QLED器件涉及到开口率等因素影响，未来主要采用顶发射器件结构，而对于顶发射器件最主要的问题来自于光取出效率比较低，严重影响了器件的性能。但目前QLED器件在提高光取出方式上存在工艺复杂，周期性结构的均一性较差的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以改善现有技术中的显示面板在提高光取出方式上存在工艺复杂，周期性结构的均一性较差的问题。
[0005]本专利技术实施例提供一种显示面板，包括衬底基板，位于衬底基板一侧的第一电极，位于所述第一电极的背离所述衬底基板一侧的电荷辅助层，位于所述电荷辅助层的背离所述第一电极一侧的第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层；
[0006]所述电荷辅助层的背离所述第一电极的表面具有多个呈阵列分布的凹凸结构，所述电荷辅助层混合有生酸剂，所述生酸剂在所述电荷辅助层不同厚度区域的含量不同。
[0007]在一种可能的实施方式中，所述电荷辅助层包括：凸起区，以及凹陷区，其中，在垂直于所述衬底基板的方向，所述电荷辅助层在所述凸起区的厚度大于在所述凹陷区的厚度。
[0008]在一种可能的实施方式中，所述凹陷区包括：第一类凹陷区，以及第二类凹陷区，其中，在垂直于所述衬底基板的方向，所述电荷辅助层在所述第一类凹陷区的厚度大于在所述第二类凹陷区的厚度。
[0009]在一种可能的实施方式中，所述凸起区对应的所述生酸剂的含量，大于所述第一类凹陷区对应的所述生酸剂的含量；所述第一类凹陷区对应的所述生酸剂的含量，大于所述第二类凹陷区对应的所述生酸剂的含量。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述电荷辅助层为以下膜层之一或组合：
[0011]电子注入层；
[0012]电子传输层；
[0013]空穴传输层；
[0014]空穴注入层。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述电荷辅助层为电子传输层，所述电子传输层的材质为混合有所述生酸剂的金属氧化物。
[0016]在一种可能的实施方式中，所述金属氧化物为氧化锌。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述量子点发光层位于所述电子传输层的面向所述衬底基板的一侧；所述第一电极与所述量子点发光层之间还具有：空穴注入层，以及位于所述空穴注入层与所述量子点发光层之间的空穴传输层；
[0018]或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述量子点发光层位于所述电子传输层的背离所述衬底基板的一侧；所述第二电极与所述量子点发光层之间还具有：空穴注入层，以及位于所述空穴注入层与所述量子点发光层之间的空穴传输层。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述生酸剂的最低未占分子轨道能级大于2eV且小于4eV。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述生酸剂包括三嗪类，碘鎓盐类，锍鎓类，或全氟丁基类。
[0021]在一种可能的实施方式中，所述生酸剂还包括三苯胺，芴，或咔唑基团。
[0022]在一种可能的实施方式中，所述生酸剂包括：
[0023]或者，
[0024]在一种可能的实施方式中，所述生酸剂为光致生酸剂。
[0025]本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如本专利技术实施例提供的所述显示面板。
[0026]本专利技术实施例还提供一种制作如本专利技术实施例提供的所述显示面板的制作方法，所述制作方法包括：
[0027]在衬底基板的一侧形成第一电极；
[0028]在所述第一电极的背离所述衬底基板的一侧形成混合有生酸剂的电荷辅助层；
[0029]在掩膜板的遮挡下，采用预设光对所述电荷辅助层进行照射，以使所述电荷辅助层的背离所述第一电极的表面形成凹凸结构，并使所述电荷辅助层在厚度不同区域的所述生酸剂的含量不同，其中，所述掩膜板具有第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的透光程度不同；
[0030]在所述电荷辅助层的背离所述第一电极的一侧形成第二电极，以及，在形成所述第二电极之前，形成量子点发光层。
[0031]在一种可能的实施方式中，所述电荷辅助层为混合有所述生酸剂的氧化锌；
[0032]所述在所述第一电极的背离所述衬底基板的一侧形成混合有生酸剂的电荷辅助
层，包括：
[0033]将氧化锌纳米粒子和所述生酸剂混合并溶解，形成混合溶液；
[0034]采用旋涂工艺，将所述混合溶液旋涂于所述第一电极的背离所述衬底基板的一侧。
[0035]本专利技术实施例有益效果如下：本专利技术实施例提供的显示面板，所述电荷辅助层混合有生酸剂，通过掩膜板的设计实现周期性的如全透过曝光和半透过曝光，全透过曝光因为预设光剂量比较多，能够到达电荷辅助层内部的深度较深，所以生酸剂产生的酸多，对电荷辅助层的刻蚀大，刻蚀深度较深；半透过曝光因为预设光剂量较少，预设光能够到达电荷辅助层内部的深度较浅，对电荷辅助层的刻蚀较浅；因为全透过区域和半透过区域是周期性排列，所以在电荷辅助层上最终通过膜厚的不同形成周期性凹凸的微阵列结构。阵列型的凹凸结构有助于将由于全反射被限制在第一膜层内部的光折射到上膜层中，实现光取出效率的提升；而且，本专利技术实施例提供的该种形成凹凸结构的方式，相比于其它方式，诸如纳米压印，微纳加工手段等，工艺简单，凹凸结构的均一性较好，进而可以改善现有技术的显示面板在提高光取出方式上存在工艺复杂，周期性结构的均一性较差等诸多问题。
附图说明
[0036]图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0037]图2为本专利技术实施例提供的一种电荷辅助层在受光照射时所发生的反应示意图之一；
[0038]图3为本专利技术实施例提供的一种电荷辅助层在受光照射时所发生的反应示意图之二；
[0039]图4A为本专利技术实施例提供的凹凸结构不同位置的厚度示意图之一；
[0040]图4B为本专利技术实施例提供的凹凸结构不同位置的厚度示意图之二；
[0041]图4C为本专利技术实施例提供另一种显示面板的结构示意图；
[0042]图5为本专利技术实施例提供的凹凸结构不同位置的间隔示意图；
[0043]图6为本专利技术实施例提供的一种显示面板的制作流程示意图；
[0044]图7为本专利技术实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板，位于衬底基板一侧的第一电极，位于所述第一电极的背离所述衬底基板一侧的电荷辅助层，位于所述电荷辅助层的背离所述第一电极一侧的第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层；所述电荷辅助层的背离所述第一电极的表面具有多个呈阵列分布的凹凸结构，所述电荷辅助层混合有生酸剂，所述生酸剂在所述电荷辅助层不同厚度区域的含量不同。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电荷辅助层包括：凸起区，以及凹陷区，其中，在垂直于所述衬底基板的方向，所述电荷辅助层在所述凸起区的厚度大于在所述凹陷区的厚度。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述凹陷区包括：第一类凹陷区，以及第二类凹陷区，其中，在垂直于所述衬底基板的方向，所述电荷辅助层在所述第一类凹陷区的厚度大于在所述第二类凹陷区的厚度。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述凸起区对应的所述生酸剂的含量，大于所述第一类凹陷区对应的所述生酸剂的含量；所述第一类凹陷区对应的所述生酸剂的含量，大于所述第二类凹陷区对应的所述生酸剂的含量。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电荷辅助层为以下膜层之一或组合：电子注入层；电子传输层；空穴传输层；空穴注入层。6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述电荷辅助层为电子传输层，所述电子传输层的材质为混合有所述生酸剂的金属氧化物。7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物为氧化锌。8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述量子点发光层位于所述电子传输层的面向所述衬底基板的一侧；所述第一电极与所述量子点发光层之间还具有：空穴注入层，以及位于所述空穴注入层与所述量子点发光层之间的空穴传输层；或者，所述第一电极为阴极，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅文海，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：