一种发光器件、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光器件、显示装置，涉及显示技术领域，该发光器件可以形成非激基复合物，从而有效提高显示装置的发光效率和寿命。该发光器件包括：发光层，所述发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料形成非激基复合物，所述客体材料掺杂在所述非激基复合物中；所述空穴型主体材料的荧光发射峰小于所述电子型主体材料的荧光发射峰，所述电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于所述非激基复合物的荧光发射峰。基复合物的荧光发射峰。基复合物的荧光发射峰。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件、显示装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置中，发光器件的性能会直接影响OLED显示装置的性能。其中，发光器件的性能主要取决于发光材料和发光器件的结构。
[0003]随着发光材料的快速发展，发光器件的性能有所改善。但是，目前的发光材料无法进一步提高发光器件的性能，导致无法满足产品的需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种发光器件、显示装置，该发光器件可以形成非激基复合物，从而有效提高显示装置的发光效率和寿命。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0006]一方面，提供了一种发光器件、显示装置，该发光器件包括：发光层，所述发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料形成非激基复合物，所述客体材料掺杂在所述非激基复合物中；
[0007]所述空穴型主体材料的荧光发射峰小于所述电子型主体材料的荧光发射峰，所述电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于所述非激基复合物的荧光发射峰。
[0008]可选的，所述电子型主体材料包括热激活延迟荧光材料。
[0009]可选的，所述热激活延迟荧光材料包括吲哚咔唑类衍生物，所述吲哚咔唑类衍生物的通式为：
[0010][0011]其中，Ar1为给电子基团，Ar2为吸电子基团；R1、R2分别为烷基、环烷基、C6
‑
24芳环中的任一种。
[0012]可选的，所述吸电子基团和所述苯基所在平面，与所述吲哚咔唑所在平面之间的扭转角为θ；其中，30
°
＜θ＜90
°
。
[0013]可选的，所述吸电子基团包括含氮杂芳环。
[0014]可选的，所述含氮杂芳环包括吡啶、嘧啶、均三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉中的任一
种。
[0015]可选的，所述给电子基团包括苯基、联苯、三亚苯、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任一种。
[0016]可选的，所述电子型主体材料包括含氮杂环类化合物或者含氰基芳杂环化合物。
[0017]可选的，所述电子型主体材料的化学结构式包括：
[0018]中的任一种。
[0019]可选的，所述空穴型主体材料包括咔唑类衍生物。
[0020]可选的，所述电子型主体材料的玻璃态转化温度和所述空穴型主体材料的玻璃态转化温度均大于第一预设值；
[0021]所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料的沉积温度的差值的绝对值小于或
等于第二预设值。
[0022]可选的，所述发光器件还包括阴极和阳极，所述阳极和所述阴极分置于所述发光层中相对的两侧；
[0023]所述发光器件还包括：电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层位于所述阳极和所述发光层之间，所述空穴阻挡层位于所述阴极和所述发光层之间。
[0024]另一方面，提供了一种显示装置，包括上述发光器件。
[0025]本专利技术的实施例提供了一种发光器件，该发光器件包括发光层，发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，电子型主体材料和空穴型主体材料形成非激基复合物，客体材料掺杂在非激基复合物中；空穴型主体材料的荧光发射峰小于电子型主体材料的荧光发射峰，电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于非激基复合物的荧光发射峰。这样不仅可以平衡发光器件的载流子浓度，而且能够进一步提高发光器件的发光效率和寿命，从而进一步提高显示装置的发光效率和寿命。
[0026]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为相关技术提供的一种荧光发射光谱图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的一种荧光发射光谱图；
[0030]图3为本专利技术实施例提供的电子型主体材料的分子长轴示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例提供的一种摩尔消光系数曲线图；
[0032]图5为相关技术提供的一种摩尔消光系数曲线图；
[0033]图6为本专利技术实施例提供的一种HOMO与LUMO电子云示意图；
[0034]图7为本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0035]图8为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
[0036]图9为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
[0037]图10为本专利技术实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]在本专利技术的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本专利技术实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗
示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0040]相关技术的发光层通过采用双主体材料(双主体材料包括空穴型主体材料和电子型主体材料)形成激基复合物，以提高显示装置的性能。分别将相关技术中的电子型主体材料、空穴型主体材料和激基复合物形成的薄膜放置于荧光光谱仪中，测试得到如图1所示的曲线1、曲线2和曲线3。在图1中，曲线1为空穴型主体材料的荧光发射光谱(Photoluminescence Spectroscopy，简称PL光谱)，曲线2为电子型主体材料的PL光谱，曲线3为激基复合物的PL光谱，横坐标代表波长，单位是nm，纵坐标代表波长归一化强度。参考图1所示，空穴型主体材料的PL光谱的峰值小于或等于电子型主体材料的PL光谱的峰值，电子型主体材料的PL光谱的峰值小于非激基复合物的PL光谱的峰值。
[0041]随着科技的发展，人们对显示装置的要求越来越高，而目前的激基复合物无法使显示装置的性能得到进一步提高，导致无法满足目前产品的需求。
[0042]基于上述，本专利技术实施例提供了一种发光器件，该发光器件包括：发光层，发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，电子型主体材料和空穴型主体材料形成非激基复合物，客体材料掺杂在非激基复合物中；空穴型主体材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括发光层，所述发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料形成非激基复合物，所述客体材料掺杂在所述非激基复合物中；所述空穴型主体材料的荧光发射峰小于所述电子型主体材料的荧光发射峰，所述电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于所述非激基复合物的荧光发射峰。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子型主体材料包括热激活延迟荧光材料。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料包括吲哚咔唑类衍生物，所述吲哚咔唑类衍生物的通式为：其中，Ar1为给电子基团，Ar2为吸电子基团；R1、R2分别为烷基、环烷基、C6
‑
24芳环中的任一种。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述吸电子基团和所述苯基所在平面，与所述吲哚咔唑所在平面之间的扭转角为θ；其中，30
°
＜θ＜90
°
。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述吸电子基团包括含氮杂芳环。6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述含氮杂芳环包括吡啶、嘧啶、均三嗪、喹啉、喹喔啉、...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱丽霞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：