化合物、发光元件、显示装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及化合物、发光元件、显示装置、电子设备及照明装置。一种化合物包括苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架、第一取代基以及第二取代基。第一取代基及第二取代基的每一个包括呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架。第一取代基与苯并呋喃并嘧啶骨架所具有的嘧啶环或苯并噻吩并嘧啶骨架所具有的嘧啶环键合。第二取代基与苯并呋喃并嘧啶骨架所具有的苯环或苯并噻吩并嘧啶骨架所具有的苯环键合。该发光元件包括该化合物。元件包括该化合物。元件包括该化合物。

【技术实现步骤摘要】
化合物、发光元件、显示装置、电子设备及照明装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架和呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架的化合物。本专利技术的一个方式涉及一种包含该化合物的发光元件。本专利技术的一个方式涉及一种包括该发光元件的显示装置、包括该发光元件的电子设备及包括该发光元件的照明装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序、机器、产品或组合物。具体而言，本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子包括半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、这些任何装置的驱动方法及这些任何装置的制造方法。

技术介绍

[0003]近年来，对利用电致发光(EL)的发光元件的研究开发日益增强。在这些发光元件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的层(EL层)。通过将电压施加到该元件的一对电极间，可以获得来自发光物质的发光。
[0004]因为上述发光元件是自发光型发光元件，所以使用该发光元件的显示装置具有如下优点：高可见度；不需要背光源；以及低功耗等。并且，该显示装置还具有如下优点：能够被制造得薄且轻；以及具有高响应速度。
[0005]在其EL层包含用作发光物质的有机化合物并设置在一对电极间的发光元件(例如，有机EL元件)中，通过将电压施加到一对电极间，电子从阴极注入到具有发光性的EL层，空穴从阳极注入到具有发光性的EL层，而使电流流过。通过注入的电子与空穴复合而使具有发光性的有机化合物成为激发态，以提供发光。
[0006]注意，有机化合物所形成的激发态可以为单重激发态(S
*
)或三重激发态(T
*
)。来自单重激发态的发光被称为荧光，来自三重激发态的发光被称为磷光。在该发光元件中，S
*
与T
*
的统计学上的产生比例是1：3。换言之，与使用发射荧光的化合物(荧光化合物)的发光元件相比，使用发射磷光的化合物(磷光化合物)的发光元件具有更高的发光效率。因此，近年来，对使用能够将三重激发态转换为发光的磷光化合物的发光元件的开发活跃(例如，参照专利文献1)。
[0007]发光效率及使用寿命是这种发光元件的重要特性。注意，发光元件的发光效率或使用寿命等性能大幅度地不仅受到发光物质的性能的影响，而且还受到使发光物质激发的主体材料和传输载流子的载流子材料的性能的影响。因此，为了提高发光元件的发光效率和使用寿命，提出了具有各种分子结构的化合物(例如，专利文献2)。[参考文献][专利文献][0008][专利文献1]日本专利申请公开第2010
‑
182699号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2014
‑
209611号公报

技术实现思路

[0009]近年来，随着发光装置及显示装置的高性能化的需求的提高，需要能够以低功耗驱动的发光装置及显示装置。因此，需要以高发光效率发光的发光元件。此外，需要具有长使用寿命的发光元件。注意，虽然到目前为止提出了很多发光元件用材料，但是难以制造具有高发光效率及长使用寿命的发光元件。
[0010]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的化合物。本专利技术的一个方式的另一目的是提供一种三重激发能级高的新颖的化合物。本专利技术的一个方式的另一目的是提供一种包含新颖的化合物的发光元件。本专利技术的一个方式的另一目的是提供一种可靠性高的发光元件。本专利技术的一个方式的另一目的是提供一种发光效率高的发光元件。本专利技术的一个方式的另一目的是提供一种新颖的发光装置。本专利技术的一个方式的另一目的是提供一种新颖的显示装置。
[0011]注意，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不一定需要实现所有上述目的。从说明书等的记载得知并可以抽取其他目的。
[0012]本专利技术的一个方式是一种化合物，包括苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架，作为取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架和吡咯骨架中的两个。本专利技术的另一个方式是一种包含该化合物的发光元件。
[0013]因此，本专利技术的一个方式是一种化合物，包括苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架、第一取代基以及第二取代基。第一取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架。第二取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架。第一取代基与苯并呋喃并嘧啶骨架所包括的嘧啶环或苯并噻吩并嘧啶骨架所包括的嘧啶环键合。第二取代基与苯并呋喃并嘧啶骨架所包括的苯环或苯并噻吩并嘧啶骨架所包括的苯环键合。
[0014]本专利技术的另一个方式是一种化合物，包括苯并呋喃并[3,2
‑
d]嘧啶骨架或苯并噻吩并[3,2
‑
d]嘧啶骨架、第一取代基以及第二取代基。第一取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架。第二取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架。第一取代基与苯并呋喃并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的2位或4位、或者苯并噻吩并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的2位或4位键合。第二取代基与苯并呋喃并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的6位、7位、8位或9位、或者苯并噻吩并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的6位、7位、8位或9位键合。
[0015]本专利技术的另一个方式是一种化合物，包括苯并呋喃并[3,2
‑
d]嘧啶骨架或苯并噻吩并[3,2
‑
d]嘧啶骨架、第一取代基以及第二取代基。第一取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架。第二取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架。第一取代基与苯并呋喃并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的4位、或苯并噻吩并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的4位键合。第二取代基与苯并呋喃并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的8位、或苯并噻吩并[3,2
‑
d]嘧啶骨架的8位键合。
[0016]在上述任何方式中，优选的是，第一取代基和第二取代基都包括呋喃骨架，第一取代基和第二取代基都包括噻吩骨架，或第一取代基和第二取代基都包括吡咯骨架。
[0017]在上述任何方式中，第一取代基优选包括二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架或咔唑骨架。第二取代基优选包括二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架或咔唑骨架。此外，优选的是，第一取代基和第二取代基都包括二苯并呋喃骨架，第一取代基和第二取代基都包括二苯并噻吩骨架，或第一取代基和第二取代基都包括咔唑骨架。
[0018]在上述任何方式中，第一取代基和第二取代基优选相同。
[0019]本专利技术的另一个方式是一种以通式(G0)表示的化合物。
[0020][化学式1][0021]在通式(G0)中，Q表示氧或硫，A1及A2分别独立地表示取代或未取代的二苯并呋喃骨架、取代或未取代的二苯并噻吩骨架或者取代或未取代的咔唑骨架，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其包含化合物，其中所述化合物包含苯并呋喃并[3，2
‑
d]嘧啶骨架和苯并噻吩并[3，2
‑
d]嘧啶骨架中的一个骨架；第一取代基；第二取代基，其中所述第一取代基包括呋喃骨架和噻吩骨架中的任一个，其中所述第二取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架、和吡咯骨架中的任一个，其中所述第一取代基与所述骨架的2位或4位键合，并且其中所述第二取代基与所述骨架的6位、7位、8位或9位键合。2.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一取代基与所述骨架的4位键合，并且其中所述第二取代基与所述骨架的8位键合。3.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一取代基和所述第二取代基都包括呋喃骨架，或者所述第一取代基和所述第二取代基都包括噻吩骨架。4.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一取代基包括二苯并呋喃骨架和二苯并噻吩骨架中的任一个，并且其中所述第二取代基包括二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架、和咔唑骨架中的任一个。5.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一取代基和所述第二取代基都包括二苯并呋喃骨架，或者所述第一取代基和所述第二取代基都包括二苯并噻吩骨架。6.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一取代基和所述第二取代基是相同的取代基。7.一种发光元件，其包括：一对电极；在所述一对电极间包含化合物的发光层；和所述发光层与所述一对电极中的一个之间的第一层，其中所述化合物包含：苯并呋喃并[3，2
‑
d]嘧啶骨架和苯并噻吩并[3，2
‑
d]嘧啶骨架中的一个骨架；第一取代基；和第二取代基，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金元美树，井上英子，高桥辰义，木户裕允，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：