显示基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:31031578 阅读:14 留言:0更新日期:2021-11-30 05:26
一种显示基板,包括衬底、设置于衬底上的多个第一电极、第一像素界定层、第二像素界定层以及多个发光功能层。其中,第一像素界定层设置于衬底上,第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露第一电极的至少一部分,第一开口的侧壁向远离第一开口的中心的方向凹陷。第二像素界定层设置于第一像素界定层远离衬底的一侧,第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口在衬底上的正投影与第一开口在衬底上的正投影至少部分重叠。第二开口靠近衬底的一端在衬底上的正投影的边界,位于第二开口远离衬底的一端在衬底上的正投影的边界之内。多个发光功能层位于多个第一电极远离衬底的一侧,一个发光功能层设置于一个第一开口内。一个发光功能层设置于一个第一开口内。一个发光功能层设置于一个第一开口内。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及显示装置


[0001]本公开涉及显示
,尤其涉及一种显示基板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着量子点技术的发展,人们对量子点电致发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,简称QLED)显示装置的研究日益深入,QLED显示装置的量子效率不断提升,已基本达到产业化的水平。
[0003]目前,采用喷墨打印(Ink

Jet Printing,简称IJP)技术形成发光功能层,以制备高分辨率的QLED显示装置已经成为领域内的发展趋势之一。

技术实现思路

[0004]一方面,提供一种显示基板,包括衬底、多个第一电极、第一像素界定层、第二像素界定层以及多个发光功能层。
[0005]其中,多个第一电极设置于所述衬底上。第一像素界定层设置于所述衬底上,所述第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露所述第一电极的至少一部分,所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷。第二像素界定层设置于所述第一像素界定层远离所述衬底的一侧,所述第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口在所述衬底上的正投影与所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠。所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。多个发光功能层位于所述多个第一电极远离所述衬底的一侧,一个发光功能层设置于一个所述第一开口内。
[0006]在一些实施例中,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积,由小变大再由大变小。
[0007]在一些实施例中,所述第一像素界定层为疏液层。或,所述第一像素界定层包括第一基材层,以及至少覆盖所述第一基材层的侧壁的疏液层。
[0008]在一些实施例中,所述第一像素界定层包括无机纳米粒子,以及与无机纳米粒子结合的配体。其中,所述配体包括含氟基团。
[0009]在一些实施例中,所述第一像素界定层包括多个氧化硅纳米粒子,和/或,多个氮化硅纳米粒子。
[0010]在一些实施例中,所述配体包括氟原子、三氟甲基、六氟苯、十氟联苯或全氟乙烯中的至少一种。
[0011]在一些实施例中,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第二开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积逐渐变大。
[0012]在一些实施例中,所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第一开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。
[0013]在一些实施例中,所述第二像素界定层为亲液层。或,所述第二像素界定层包括第
二基材层,以及至少覆盖所述第二基材层的侧壁的亲液层。
[0014]在一些实施例中,所述第二像素界定层包括正性光刻胶层。
[0015]在一些实施例中,所述第二开口的侧壁与所述第二像素界定层靠近所述衬底的表面之间的夹角范围为30
°
~75
°

[0016]在一些实施例中,所述第一像素界定层的厚度与所述第二像素界定层的厚度的比值范围为1~3。
[0017]在一些实施例中,所述第一电极和所述发光功能层的厚度的和,小于所述第一像素界定层的厚度。
[0018]在一些实施例中,显示基板还包括第二电极层,所述第二电极层包括设置于所述发光功能层远离所述衬底一侧的第二电极,以及覆盖在所述第二像素界定层远离所述衬底一侧的表面,和所述第二开口的侧壁上的连接图案。
[0019]另一方面,提供一种显示装置,包括如上述任一实施例所述的显示基板。
[0020]另一方面,提供一种显示基板的制备方法,包括:
[0021]在衬底上形成多个第一电极。
[0022]在所述多个第一电极远离所述衬底的一侧依次形成第一像素界定薄膜和第二像素界定薄膜。
[0023]图案化所述第二像素界定薄膜,形成第二像素界定层。所述第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。
[0024]以所述第二像素界定层为掩膜,图案化所述第一像素界定薄膜,形成第一像素界定层。所述第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露第一电极的至少一部分,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述第二开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠,所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷。
[0025]在所述第一开口内形成发光功能层。
[0026]在一些实施例中,所述图案化所述第一像素界定薄膜,包括:
[0027]采用干法刻蚀工艺,图案化所述第一像素界定薄膜。
[0028]在一些实施例中,所述在所述第一开口内形成发光功能层,包括:
[0029]在所述第一开口内喷墨打印发光功能层墨水;
[0030]烘干所述发光功能层墨水,形成所述发光功能层。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
[0032]图1为根据本公开的一些实施例的显示基板的俯视图;
[0033]图2为图1中显示基板沿O

O'的剖面图;
[0034]图3为根据本公开的一些实施例的喷墨打印的过程的一种示意图;
[0035]图4为根据本公开的一些实施例的喷墨打印的过程的另一种示意图;
[0036]图5为根据本公开的一些实施例的显示基板的一种结构图;
[0037]图6为根据本公开的一些实施例的显示基板的另一种结构图;
[0038]图7为根据本公开的一些实施例的无机纳米粒子结合配体的结构图;
[0039]图8为根据本公开的一些实施例的显示装置的结构图;
[0040]图9A为根据本公开的一些实施例的显示基板的制备方法的一种流程图;
[0041]图9B为根据本公开的一些实施例的显示基板的制备方法的另一种流程图;
[0042]图10为根据本公开的一些实施例的制备第一电极层的步骤图;
[0043]图11为根据本公开的一些实施例的制备第一电极的步骤图;
[0044]图12为根据本公开的一些实施例的制备第一像素界定薄膜和第二像素界定薄膜的步骤图;
[0045]图13为根据本公开的一些实施例的制备第二像素界定层的步骤图;
[0046]图14为根据本公开的一些实施例的制备第一像素界定层的步骤图;
[0047]图15为根据本公开的一些实施例的制备发光功能层的步骤图;
[0048]图本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底;多个第一电极,设置于所述衬底上;第一像素界定层,设置于所述衬底上;所述第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露所述第一电极的至少一部分;所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷;第二像素界定层,设置于所述第一像素界定层远离所述衬底的一侧;所述第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口在所述衬底上的正投影与所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠;所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内;多个发光功能层,位于所述多个第一电极远离所述衬底的一侧,一个发光功能层设置于一个所述第一开口内。2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积,由小变大再由大变小。3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素界定层为疏液层;或,所述第一像素界定层包括第一基材层,以及至少覆盖所述第一基材层的侧壁的疏液层。4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第二开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积逐渐变大。5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:梅文海
申请(专利权)人:北京京东方技术开发有限公司
类型:新型
国别省市:

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