电子器件制造技术

本申请涉及一种包含有机层的电子器件，该有机层又含有至少两种不同化合物的混合物。有机层又含有至少两种不同化合物的混合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子器件
[0001]本申请涉及一种电子器件，所述电子器件依次包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层和阴极。所述空穴传输层含有选自螺二芴胺和芴胺化合物的第一化合物，以及不同于所述第一化合物并且选自螺二芴胺和芴胺化合物的第二化合物。
[0002]本申请上下文中的电子器件被理解为是指所谓的有机电子器件，其含有有机半导体材料作为功能材料。更特别地，这些被理解为是指OLED(有机发光二极管，有机电致发光器件)。这些电子器件具有一个或多个包含有机化合物的层并且在施加电压时发光。OLED的构造和工作的一般原理是本领域技术人员已知的。
[0003]空穴注入层被理解为是指在电子器件的运行中支持空穴从OLED的阳极注入到空穴传输层中的层。空穴注入层优选直接邻接阳极，并且在阴极侧有一个或多个空穴传输层直接邻接空穴注入层。
[0004]空穴传输层被理解为是能够在电子器件的运行中传输空穴的层。更特别地，它是在OLED中布置在阳极和最接近阳极的发光层之间的层。
[0005]在电子器件，尤其是OLED中，对于改善性能数据，尤其是寿命、效率、工作电压和色纯度，有很大的兴趣。在这些方面，尚未能找到任何完全令人满意的解决方案。
[0006]空穴传输层对电子器件的上述性能数据有很大影响。它们可作为阳极和发光层之间的单独空穴传输层存在，或者以阳极和发光层之间的多个空穴传输层，例如2或3个空穴传输层的形式存在。
[0007]现有技术中已知的空穴传输层材料主要是胺化合物，尤其是三芳基胺化合物。这样的三芳胺化合物的例子是螺二芴胺、芴胺、茚并芴胺、菲胺、咔唑胺、呫吨胺、螺二氢吖啶胺、联苯胺以及这些具有一个或多个氨基基团的结构元件的组合，这只是一个选集，本领域技术人员知晓其它的结构类别。
[0008]现已发现依次包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层和阴极的电子器件，其中空穴传输层含有选自螺二芴胺和芴胺化合物的第一化合物以及选自螺二芴胺和芴胺化合物的与第一化合物不同的第二化合物，所述电子器件与其中空穴传输层由单一化合物形成的现有技术电子器件相比，具有更好的性能数据。更特别地，与上述现有技术的器件相比，这样的器件的寿命和/或效率得到改善。
[0009]本申请由此提供了一种电子器件，其包含
[0010]‑
阳极，
[0011]‑
阴极，
[0012]‑
布置在阳极和阴极之间的发光层，
[0013]‑
布置在阳极和发光层之间的空穴注入层；
[0014]‑
布置在空穴注入层和发光层之间并且在阳极侧直接邻接发光层的空穴传输层，并且其含有两种符合选自式(I)和(II)的相同或不同式的不同化合物，
[0015][0016][0017]其中
[0018]Z在每次出现时相同或不同并且选自CR1和N，其中当基团与其键合时，Z是C；
[0019]X在每次出现时相同或不同并且选自单键、O、S、C(R1)2和NR1；
[0020]Ar1和Ar2在每次出现时相同或不同并且选自具有6至40个芳族环原子并且被一个或多个R2基团取代的芳族环系、以及具有5至40个芳族环原子并且被一个或多个R2基团取代的杂芳族环系；
[0021]R1和R2在每次出现时相同或不同并且选自：H，D，F，Cl，Br，I，C(＝O)R3，CN，Si(R3)3，N(R3)2，P(＝O)(R3)2，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，以及具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R1或R2基团可彼此连接并且可形成环；其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被R3基团取代；并且其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被
‑
R3C＝CR3‑
、
‑
C≡C
‑
、Si(R3)2、C＝O、C＝NR3、
‑
C(＝O)O
‑
、
‑
C(＝O)NR3‑
、NR3、P(＝O)(R3)、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、SO或SO2代替；
[0022]R3在每次出现时相同或不同并且选自：H，D，F，Cl，Br，I，CN，具有1至20个碳原子的烷基或烷氧基基团，具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，以及具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R3基团可彼此连接并且可形成环；并且其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团、芳族环系和杂芳族环系可被一个或多个选自F和CN的基团取代；
[0023]n是0、1、2、3或4，其中，当n＝0时，Ar1基团不存在并且氮原子直接与该式的其余部分键合。
[0024]当n＝2时，两个Ar1基团成功地连续键合，为
‑
Ar1‑
Ar1‑
。当n＝3时，三个Ar1基团成
功地连续键合，为
‑
Ar1‑
Ar1‑
Ar1‑
。当n＝4时，四个Ar1基团成功地连续键合，为
‑
Ar1‑
Ar1‑
Ar1‑
Ar1‑
。
[0025]以下定义可适用于本申请中使用的化学基团。除非给出任何更具体的定义，否则它们均可适用。
[0026]本专利技术上下文中的芳基基团被理解为是指单芳族环，即苯，或稠合芳族多环，例如萘、菲或蒽。本申请上下文中的稠合芳族多环由两个或更多个彼此稠合的单芳族环组成。环之间的稠合在此被理解为是指所述环彼此共有至少一条边。本专利技术上下文中的芳基基团含有6至40个芳族环原子。另外，芳基基团不含任何杂原子作为芳族环原子。
[0027]本专利技术上下文中的杂芳基基团被理解为是指单杂芳族环，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或稠合杂芳族多环，例如喹啉或咔唑。本申请上下文中的稠合杂芳族多环由两个或更多个彼此稠合的单芳族或杂芳族环组成，其中所述芳族和杂芳族环中的至少一个是杂芳族环。环之间的稠合在此被理解为是指所述环彼此共有至少一条边。本专利技术上下文中的杂芳基基团含有5至40个芳族环原子，其中至少一个是杂原子。所述杂芳基基团的杂原子优选选自N、O和S。
[0028]各自可被上述基团取代的芳基或杂芳基基团尤其被理解为是指衍生自下列物质的基团：苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、苣、苝、联三苯叉、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并
‑
5,6
‑
喹啉、苯并
‑
6,7
‑
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子器件，所述电子器件包含
‑
阳极，
‑
阴极，
‑
布置在阳极和阴极之间的发光层，
‑
布置在阳极和发光层之间的空穴注入层；
‑
布置在空穴注入层和发光层之间并且在阳极侧直接邻接发光层的空穴传输层，并且所述空穴传输层含有两种符合选自式(I)和(II)的相同或不同式的不同化合物其中Z在每次出现时相同或不同并且选自CR1和N，其中当基团与Z键合时，Z是C；X在每次出现时相同或不同并且选自单键、O、S、C(R1)2和NR1；Ar1和Ar2在每次出现时相同或不同，并且选自具有6至40个芳族环原子并且被一个或多个R2基团取代的芳族环系以及具有5至40个芳族环原子并且被一个或多个R2基团取代的杂芳族环系；R1和R2在每次出现时相同或不同并且选自：H，D，F，Cl，Br，I，C(＝O)R3，CN，Si(R3)3，N(R3)2，P(＝O)(R3)2，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，以及具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R1或R2基团可彼此连接并且可形成环；其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被R3基团取代；并且其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被
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R3C＝CR3‑
、
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C≡C
‑
、Si(R3)2、C＝O、C＝NR3、
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C(＝O)O
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、
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C(＝O)NR3‑
、NR3、P(＝O)(R3)、
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O
‑
、
‑
S
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、SO或SO2代替；R3在每次出现时相同或不同并且选自：H，D，F，Cl，Br，I，CN，具有1至20个碳原子的烷基
其中在式(I
‑1‑
A)至(I
‑1‑
D)和(II
‑1‑
B)至(II
‑1‑
D)中出现的基团和权利要求1中限定的相同，并且其中在螺二芴和芴上的未占据位置各自被R1基团取代。10.根据权利要求9所述的电子器件，其特征在于HTM
‑
1在所述空穴传输层中的存在比例高达HTM
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：弗洛里安，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：