一种半导体结构的刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体结构的刻蚀装置，包括主体，所述主体的外表面设置有限位框，且主体的外表面与限位框的内表面固定连接，所述限位框的左端设置有刻蚀装置，且主体的上表面与金属座底端固定连接，所述金属座内腔的底部设置有清理装置，本发明专利技术涉及半导体刻蚀装置技术领域。该半导体结构的刻蚀装置，通过圆盘中部设置有阻挡板，侧立块旋转会挤压圆盘中部的阻挡板运行，圆盘随之运作，圆盘发生扭转，圆盘左端设置有摆动条，圆盘右端的上方设置有刻蚀头，圆盘发生一定的摆动，圆盘底端沿着安置盘的导向而滑动，圆盘右端上方的刻蚀头也逐渐对半导体上的晶圆进行去除，实现了多角度全面去除晶圆的目的。除晶圆的目的。除晶圆的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的刻蚀装置


[0001]本专利技术涉及半导体刻蚀
，具体为一种半导体结构的刻蚀装置。

技术介绍

[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，刻蚀机主要是将没刻画电路图的晶圆去除，半导体离不开刻蚀的操作工艺。
[0003]现有的刻蚀技术主要解决半导体晶圆的颗粒污染问题，污染的颗粒掉落在未处理的半导体晶圆上面，并且会发生一定的积累和堆积，很容易造成被污染的半导体晶圆不能够完全刻蚀，也就是说，当完成刻蚀的半导体晶圆在设备等待的时候，不能及时的去除半导体上的残留颗粒，残留颗粒就会发生一定的固化，对于后续的其他工艺加工也会产生影响，造成半导体晶圆上的残留颗粒生产合格率和性能不能显著提高。

技术实现思路

[0004]（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种半导体结构的刻蚀装置，解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的刻蚀装置，包括主体（1），其特征在于：所述主体（1）的外表面设置有限位框（2），且主体（1）的外表面与限位框（2）的内表面固定连接，所述限位框（2）的左端设置有刻蚀装置（3），且限位框（2）的左端与刻蚀装置（3）的右端滑动连接，所述主体（1）的上表面设置有金属座（4），且主体（1）的上表面与金属座（4）底端固定连接，所述金属座（4）内腔的底部设置有清理装置（5），且金属座（4）内腔的底部与清理装置（5）的外表面固定连接；所述刻蚀装置（3）包括有安置盘（31），所述安置盘（31）的上表面设置有中心座（32），且安置盘（31）的上表面与中心座（32）的右端转动连接，所述中心座（32）的左侧设置有支撑条（33），且中心座（32）的左侧与支撑条（33）的右侧固定连接，所述中心座（32）的轴心处设置有金属圆轴（34），且中心座（32）轴心处的左侧与金属圆轴（34）的右侧转动连接，所述金属圆轴（34）内腔的顶部设置有撑件（35），且金属圆轴（34）内腔的顶部与撑件（35）底端的外表面固定连接，所述撑件（35）的外表面设置有安装架（36），且撑件（35）的外表面与安装架（36）的内表面滑动连接，所述安装架（36）的内腔设置有摆动条（37），且安装架（36）的内腔与摆动条（37）的外表面固定连接，所述摆动条（37）的顶部设置有圆盘（38），且摆动条（37）的顶部与圆盘（38）的侧面固定连接，所述撑件（35）顶部的右端设在有侧立块（39），且撑件（35）顶部的右端与侧立块（39）的左端固定连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的刻蚀装置，其特征在于：所述限位框（2）的内腔设置有清理装置（5），且限位框（2）的内腔与清理装置（5）的外表面固定连接，所述刻蚀装置（3）中部的内腔设置有清理装置（5），且刻蚀装置（3）中部的内腔与清理装置（5）的外表面固定连接，所述限位框（2）与金属座（4）相互平行。3.根据权利要求1所述的一种半导体结构的刻蚀装置，其特征在于：所述清理装置（5）包括有主筒（51），所述主筒（51）的内腔设置有中心主轴（52），且主筒（51）的内腔与中心主轴（52）右端的顶部固定连接，所述中心主轴（52）的左端设置有固定架（53），且中心主轴（52）的左端与固定架（53）的中心处活动连接，所述固定架（53）的中部设置有擦拭盘（54），且固定架（53）的中部与擦拭盘（54）的右部固定连接，所述擦拭盘（54）的底部设置有对接装置（55），且擦拭盘（54）的底部与对接装置（55）的顶部固定连接，所述固...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昌昊，黄怡琳，田晨阳，田英干，
申请(专利权)人：天霖张家港电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：