低损耗、低温度系数和高磁导率铁氧体材料制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低损耗、低温度系数和高磁导率铁氧体材料及其制备方法。其主相为尖晶石结构，以氧化物含量计算的组成为：Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］为４３～５２ｍｏｌ％；ＺｎＯ为２８～４２ｍｏｌ％；ＣｕＯ为３～１２ｍｏｌ％；ＮｉＯ为５～１２ｍｏｌ％。制备方法的步骤为：１）原材料混合，２）预烧，３）杂质添加，４）二次球磨，５）成型烧结。本发明专利技术制备的ＮｉＺｎ铁氧体材料晶粒尺寸均匀，晶界清楚，晶粒完整，没有孔洞，组织致密。晶粒尺寸在３～５μｍ范围内。本发明专利技术使用ＣｕＯ替代了ＮｉＯ，且预烧和烧结温度很低，制备过程中的能耗更小，由于具有很低的预烧和烧结温度，因此对设备的设计要求也更低了，降低了生产成本。由于具有较宽的预烧和烧结温度范围，且无需气氛保护，使得工艺重复性和产品的一致性都很好。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
高磁导率NiZn材料是制备射频宽带器件的主要原材料。而射频宽带器件在电视、通讯、雷达、仪表以及自动控制等方面的应用十分的普遍。而随着这些技术的不断发展，需要大量新型的射频宽带元器件，尤其是现在数字电视网络系统正在迅速取代原有的有线电视系统，而这一网络系统的改造需要大量的射频宽带元器件。这为射频宽带元器件提供了一个很大的市场。而射频宽带器件的一个重要发展方向就是具有更宽的工作频率以及能够适应不同的工作环境，特别是在不同的温度下都能够正常的工作。这一发展趋势对现有的高磁导率NiZn铁氧体提出了更高的性能要求。要求NiZn铁氧体具有更高的磁导率、更低的损耗和更好的温度系数。因此初始磁导率大于1500，具有更宽的工作温度范围的高导NiZn铁氧体的市场需求正不断扩大。当前，制备高磁导率NiZn铁氧体主要采用的还是氧化物法，预烧温度一般控制在1000℃左右，而烧结温度可在1200℃左右。在如此高的烧结温度下，晶粒容易发生异常长大，晶粒变得不均匀，导致损耗和温度系数的恶化；并且这么高的烧结温度对烧结炉的设计制造要求高，能源消耗大，不利于环保和降低成本。而且由于预本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低损耗、低温度系数和高磁导率铁氧体材料，其特征在于：其主相为尖晶石结构，以氧化物含量计算的组成为：Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］为４３～５２ｍｏｌ％；ＺｎＯ为２８～４２ｍｏｌ％；ＣｕＯ为３～１２ｍｏｌ％；ＮｉＯ为 ５～１２ｍｏｌ％。

【技术特征摘要】
1.一种低损耗、低温度系数和高磁导率铁氧体材料，其特征在于其主相为尖晶石结构，以氧化物含量计算的组成为Fe2O3为43～52mol％；ZnO为28～42mol％；CuO为3～12mol％；NiO为5～12mol％。2.一种低损耗、低温度系数和高磁导率铁氧体材料制备方法，其特征在于方法的步骤为1)原材料混合选取43～52mol％Fe2O3、28～42mol％ZnO、3～12mol％CuO和5～12mol％NiO作为原材料，放入球磨机中，加入等重量的去离子水，球磨5～9小时；2)预烧将混磨好的料烘干，放入炉内预烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晓领，严密，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]