一种高磁导率高阻抗的Ni-Zn铁氧体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高磁导率高阻抗的Ni-Zn铁氧体材料，所述铁氧体材料由主成分和副成分组成，其中所述主成分和及重量百分比为：Fe2O364.5～70.0％；ZnO?18.8～25.3％；CuO?1.9～3.1％；其余成分为NiO；所述副成分为：Bi2O3，并且，其相对于主成分按照重量百分比的比例为：0.1～0.2％。本发明专利技术在采取了上述技术方案以后，具有下列特点：配料设计科学，制作成本低，工艺先进合理，简便易行。使得镍锌铁氧体的磁导率达到1200，同时在10MHz～100MHz的范围内具有高阻抗的特征。此外，本发明专利技术还公开了上述铁氧体材料的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属软磁性材料
，具体涉及一种镍锌高磁导率、高阻抗铁氧体料粉及其制备方法。
技术介绍
随着电子技术发展，电磁波干扰(EMI)问题越来越引起人们的重视。电磁波干扰 (又称噪声)会造成通信障碍、图像畸变、数据错误，从而引起电子设备的误动作。各种电气和电子设备往往是噪声发生源。线性电源向开关电源转变，随着开关频率不断提高，增加了高频谐波干扰；一台计算机内部充满了电磁波，时钟频率达GHz领域的计算机，已成为噪声主要发生源；空间各种无线电杂波，通过天线或传输电缆线、宽带信号接口电子设备，并使传输图像发生畸变。不易受外来噪声干扰又不向周围发射噪声已成为各种电子设备必须达到的要求。在这里，抑制EMI的元件是必不可少的。而铁氧体电感元件优良的抗噪声特性， 已成为抑制EMI最重要并已获得普遍采用的电磁元件。由于NiSi材料生产的抗EMI铁氧体，具有高频阻抗高，频率使用范围广的优良特性，能够在抗EMI领域发挥更巨大的作用。
技术实现思路
为了解决上述以前技术问题，本专利技术提供了一种高磁导率高阻抗的Ni-Si铁氧体材料，所述材料解决了电磁波干扰问题，本专利技术材料起始磁导率> 1200本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高磁导率高阻抗的Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体材料，所述铁氧体材料由主成分和副成分组成，其中所述主成分和及重量百分比为：Ｆｅ２Ｏ３　６４．５～７０．０％；ＺｎＯ　１８．８～２５．３％；ＣｕＯ　１．９～３．１％；其余成分为ＮｉＯ；所述副成分为：Ｂｉ２Ｏ３，并且，其相对于主成分按照重量百分比的比例为：０．１～０．２％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周军师，李峰，郝利军，
申请(专利权)人：陕西金山电器有限公司，
类型：发明
国别省市：61