【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是频率特性及电流值的稳定性优越的Ni-Zn系铁氧体合成物及由该合成物构成的天线线圈。
技术介绍
例如，作为如专利文献1所示那样的现有无键引入(keylessentry)系统用天线线圈所使用的磁芯材料的被重视的特性之一，列举出了初始磁化率(μi)的温度变化率小的特性。但是，另一方面，无键引入系统中要求发送接收灵敏度优良、电波传播距离增加。因此，在天线线圈的电气特性方面也有必要进行设计使产生的磁通及磁场比现状的强。日本国特开2000-203846(权利要求书、摘要等)
技术实现思路
本专利技术要解决的课题但是，外加于天线线圈的磁通以及磁场变大的话，则产生上述现有的铁氧体偏离希望的特性领域范围、无法得到频率特性和外加电流稳定的特性的问题。鉴于上述问题，本专利技术的目的在于，谋求天线线圈构成时所使用的特性范围内的频率特性以及电流值的稳定化。一般的，在评价铁氧体合成物特有的磁特性时，使用以环形为代表的闭合磁路构成的磁芯。这是因为，磁芯形状为打开磁路构成的情况下，由于漏磁通导致诸特性平均化，从而μa的温度变化率等方面的好坏的判别也变得困难。本专利技术的目的在于...
【技术保护点】
一种Ｎｉ－Ｚｎ系铁氧体合成物，含有氧化铁（Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］）、氧化镍（ＮｉＯ）、氧化铜（ＣｕＯ）及氧化锌（ＺｎＯ），作为评价条件使用闭合磁路构成的评价用磁芯时，以式子Δμａ／μａ＝（１－μａ０／μａ１）×１００表示的振幅相对磁导率的温度变化率在－３０～８５℃的温度环境下处于－６％～＋６％的范围内，其中，式中μａ０为２０℃的振幅相对磁导率、μａ１为规定温度的振幅相对磁导率。
【技术特征摘要】
JP 2004-12-10 2004-3577941.一种Ni-Zn系铁氧体合成物，含有氧化铁(Fe2O3)、氧化镍(NiO)、氧化铜(CuO)及氧化锌(ZnO)，作为评价条件使用闭合磁路构成的评价用磁芯时，以式子Δμa/μa＝(1-μa0/μa1)×100表示的振幅相对磁导率的温度变化率在-30～85℃的温度环境下处于-6％～+6％的范围内，其中，式中μa0为20℃的振幅相对磁导率、μa1为规定温度的振幅相对磁导率。2.一种Ni-Zn系铁氧体合...
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