晶圆校准工装及晶圆校准装置制造方法及图纸

技术编号:31066153 阅读:10 留言:0更新日期:2021-11-30 06:36
本实用新型专利技术公开了一种晶圆校准工装及晶圆校准装置,所述晶圆校准工装包括底座与相对设置的第一定位件与第二定位件,所述第一定位件与所述第二定位件相对设置并设于所述底座的两侧;所述第一定位件上设有第一定位凹槽,所述第二定位件上设有第二定位凹槽,所述第一定位凹槽的侧壁与所述第二定位凹槽的侧壁均为弧面结构,所述第一定位凹槽的深度与所述第二定位凹槽的深度相等;且所述第一定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第二定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。本申请能够避免所述校准片在所述晶圆校准工装中发生晃动,从而导致晶圆位置的校准不正确的问题。导致晶圆位置的校准不正确的问题。导致晶圆位置的校准不正确的问题。

【技术实现步骤摘要】
晶圆校准工装及晶圆校准装置


[0001]本技术涉及显示
,尤其涉及一种晶圆校准工装及晶圆校准装置。

技术介绍

[0002]半导体设备对晶圆传递的环境要求非常高,绝大部分的产线设备必须具备自动传片的功能。设备前端模块(Equipment Front End Module,EFEM)中的Loadport的作用是用来完成晶圆传递盒的一系列装载过程,使晶圆处于能够取放的状态。设备在组装,调试以及投入使用后的定期检查过程中,都需要对EFEM中的机械手在晶圆传递盒内取放位置进行调试,校准和检查,以确保自动传片的可靠和安全性。在现有技术中,在对晶圆的位置进行校准时,主要是通过操作人员通过机械手的位置进行校准,但是由于人工判断具有较强的主观性,因此导致晶圆的位置校准具有准确性差,校准效率低的问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种晶圆校准工装及晶圆校准装置。
[0004]第一方面,本申请提供一种晶圆校准工装,所述晶圆校准工装包括底座、第一定位件以及第二定位件,所述第一定位件与所述第二定位件相对设置并设于所述底座的两侧;
[0005]所述第一定位件上设有第一定位凹槽,所述第二定位件上设有第二定位凹槽,所述第一定位凹槽的侧壁与所述第二定位凹槽的侧壁均为弧面结构,所述第一定位凹槽的深度与所述第二定位凹槽的深度相等,且所述第一定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第二定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。
[0006]可选的,所述第一定位件上设有第三定位凹槽,所述第二定位件包括第四定位凹槽,所述第三定位凹槽的深度与所述第四定位凹槽的深度相等;所述第三定位凹槽的侧壁与所述第四定位凹槽的侧壁均为弧面结构,且所述第三定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第四定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。
[0007]可选的,所述第一定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第三定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。
[0008]可选的,所述第一定位凹槽的深度小于所述第三定位凹槽的深度。
[0009]可选的,所述第一定位件包括第一扶手部,所述第二定位件包括第二扶手部,所述第一扶手部设于所述第一定位件远离所述第二定位件的一侧侧壁,所述第二扶手部手所述第二定位件远离所述第一定位件的一侧侧壁。
[0010]可选的,所述第一扶手部与所述第二扶手部均为凹槽结构。
[0011]可选的,所述底座远离所述定位件的一侧表面设有凹槽,所述凹槽的底壁设有至少一个压块,所述压块的高度与所述凹槽的深度相等。
[0012]可选的,所述底座开设有通孔,所述通孔避让所述压块设置。
[0013]第二方面,本申请还提出一种晶圆校准装置,其特征在于,所述晶圆校准装置包括固定台,校准片以及如上述任一项实施方式所述的晶圆校准工装,所述固定台上包括限位
件,所述限位件用于对所述晶圆校准工装进行限位,所述校准片的直径与第一定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。
[0014]可选的,所述限位件包括两个第一限位块以及两个第二限位块,所述第一限位块用于对所述晶圆校准工装沿第一方向进行限位,所述第二限位块用于对所述晶圆校准工装沿第二方向进行限位。
[0015]可以看出,在本申请实施例中,所述晶圆校准工装包括底座与相对设置的第一定位件与第二定位件,所述第一定位件包括第一定位凹槽,所述第二定位件包括第二定位凹槽,在对晶圆的位置进行校准过程中,可以将校准片放置在所述第一定位凹槽与所述第二定位凹槽之间,由于所述第一定位凹槽的底壁与所述第二定位凹槽的底壁高度相等,所述第一定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第二定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等,并且均等于所述校准片的直径,因此在将所述校准片放置于所述第一定位凹槽与所述第二定位凹槽内时,能够避免所述校准片在所述晶圆校准工装中发生晃动,从而导致晶圆位置的校准不正确的问题。
附图说明
[0016]图1是本申请实施例提供的晶圆校准工装的结构示意图;
[0017]图2是本申请实施例提供的晶圆校准工装的另一结构示意图;
[0018]图3是本申请实施例提供的晶圆校准装置的结构示意图。
[0019]附图标号说明:
[0020]标号名称标号名称10底座31第二定位凹槽11凹槽32第四定位凹槽12通孔33第二扶手部20第一定位件40压块21第一定位凹槽50固定台22第三定位凹槽60校准片23第一扶手部70限位件30第二定位件
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具体实施方式
[0021]为了使本
的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
[0022]本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象,而不是用于描述特定顺序。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
[0023]在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0024]请参见图1至图3,本申请提出一种显示校准工装。
[0025]所述晶圆校准工装包括底座10与相对设置的第一定位件20与第二定位件30,所述第一定位件20与所述第二定位件30相对设置并设于所述底座10 的两侧;
[0026]所述第一定位件20上设有第一定位凹槽21,所述第二定位件30上设有第二定位凹槽31,所述第一定位凹槽21的侧壁与所述第二定位凹槽31的侧壁均为弧面结构,且所述第一定位凹槽21的侧壁的弧面结构的直径与所述第二定位凹槽31的侧壁的弧面结构的直径相等。
[0027]所述第一定位凹槽21与所述第二定位凹槽31相对设置,并且用于共同承载校准片60,并且为了保证所述校准片60能够平整的放置在所述晶圆校准工装上,所述第一定位凹槽21的深度与所述第二定位凹槽31的深度相等,从而避免所述校准片60发生倾斜。
[0028]优选实施方式中,所述第一定位件20与所述第二定位件30为镜像对称结构。
[0029]在本申请中的实施方式中,所述晶圆校准工装包括底座10与相对设置的第一定位件20与第二定位件30,所述第一定位件20包括第一定位凹槽21,所述第二定位件30包括第二定位凹槽31,在对晶圆的位置进行校准过程中,可以将校准片60放置本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆校准工装,其特征在于,所述晶圆校准工装包括底座、第一定位件以及第二定位件,所述第一定位件与所述第二定位件相对设置并设于所述底座的两侧;所述第一定位件上设有第一定位凹槽,所述第二定位件上设有第二定位凹槽,所述第一定位凹槽的侧壁与所述第二定位凹槽的侧壁均为弧面结构,所述第一定位凹槽的深度与所述第二定位凹槽的深度相等,且所述第一定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第二定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。2.根据权利要求1所述的晶圆校准工装,其特征在于,所述第一定位件上设有第三定位凹槽,所述第二定位件包括第四定位凹槽,所述第三定位凹槽的深度与所述第四定位凹槽的深度相等;所述第三定位凹槽的侧壁与所述第四定位凹槽的侧壁均为弧面结构,且所述第三定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第四定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。3.根据权利要求2所述的晶圆校准工装,其特征在于,所述第一定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径与所述第三定位凹槽的侧壁的弧面结构的直径相等。4.根据权利要求2所述的晶圆校准工装,其特征在于,所述第一定位凹槽的深度小于所述第三定位凹槽的深度。5.根据权利要求1所述的晶圆校准工装,其特征在于,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈鲁张朝前卿亮李少雷马砚忠张嵩
申请(专利权)人:深圳中科飞测科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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