用于吸附用于沉积工艺的掩模的基板支撑件制造技术

本公开内容的实施方式包括用于在沉积腔室中将掩模静电耦接到基板支撑件的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：基板接收表面；凹陷部分，所述凹陷部分围绕所述基板接收表面的周边设置；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方；和多个可压缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中的相应开口内。的所述凹陷部分中的相应开口内。的所述凹陷部分中的相应开口内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于吸附用于沉积工艺的掩模的基板支撑件
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本公开内容的实施方式涉及用于固定在沉积工艺(诸如在电子装置的制造中使用的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺)中所利用的掩模的方法和设备。特别地，本公开内容的实施方式涉及在用PECVD和/或ALD工艺进行的有机发光二极管(OLED)显示装置的制造中的封装工艺中所利用的金属阴影掩模的固定。
[0004]相关技术的说明
[0005]有机发光二极管(OLED)用于制造用于显示信息的电视机屏幕、计算机监视器、移动电话、其他手持式装置等。典型的OLED可包括安置在两个电极之间的有机材料层，这些有机材料层全部以形成具有可单独地通电的像素的矩阵显示面板的方式沉积在基板上。OLED一般置于两个玻璃面板之间，并且这些玻璃面板的边缘被密封以将OLED封装在这些玻璃面板中。
[0006]在这样的显示装置的制造中遇到许多挑战。在一些制造步骤中，将OLED材料封装在一个或多个层中以防止水分损坏OLED材料。在这些工艺期间，利用一个或多个掩模来屏蔽基板的不包括OLED材料的部分。为了控制沉积，相对于基板小心地定位掩模。这些工艺中所利用的掩模典型地是具有相对低的热膨胀系数的金属或金属合金。然而，在处理期间，掩模典型地相对于基板未对准和/或错位。未对准或错位一般意指掩模不接近基板。当掩模如此未对准和/或错位时，在基板上出现阴影效应并且/或者在掩模下方形成错误涂层。前述问题中的一者或两者会产生问题，其中一个问题是最终显示产品的部分的“不均效应(mura effect)”或“模糊(clouding)”。
[0007]因此，需要用于改进在OLED显示装置形成期间掩模的定位的方法和设备。
[0008]概述
[0009]本公开内容的实施方式包括用于在沉积腔室中将掩模静电耦接到基板支撑件的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：基板接收表面；凹陷部分，所述凹陷部分围绕所述基板接收表面的周边设置；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方；和多个可压缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中的相应开口内。
[0010]在另一个实施方式中，公开了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：主体，所述主体包含导电材料；基板接收表面，所述基板接收表面包括粘附到所述主体的介电层，其中所述主体包括围绕所述基板接收表面的周边设置的凹陷部分；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方；和多个可压缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中的相应开口内。
[0011]在另一个实施方式中，公开了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：主体，所述主体包含导电材料；基板接收表面，所述基板接收表面包括粘附到所述主体的介电层，其中所述主体包括围绕所述基板接收表面的周边设置的凹陷部分，并且所述基板接收表面包括沟槽图案；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方的介电层中；和多个可压
缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中的相应开口内。
[0012]附图简要说明
[0013]为了可详细地理解上述特征的方式，可参考实施方式来得到对以上简要地概述的本公开内容的实施方式的更特别的描述，其中一些实施方式在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示典型的实施方式，并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。
[0014]图1是根据一个实施方式的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室的示意性横截面图。
[0015]图2是在图1的PECVD腔室的腔室主体中使用的内部腔室部件的分解等距视图。
[0016]图3是如本文所公开的基板支撑件的一部分的一个实施方式的截面侧视图。
[0017]图4A
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图4C是具有不同的电配置的基板支撑件和静电吸盘的部分的示意性截面图。
[0018]图5A是根据另一个实施方式的基板支撑件的一部分的截面侧视图。
[0019]图5B是图5A的基板支撑件的放大图。
[0020]图6是基板支撑件的主体和掩模框架的一部分的截面图，示出了可压缩按钮的一个实施方式。
[0021]为了便于理解，已经尽可能地使用相同的参考数字来标示各图共有的相同元件。设想的是，一个实施方式中公开的要素可有益地用于其他实施方式上，而无需具体地叙述。
[0022]具体说明
[0023]本公开内容的实施方式包括用于使在沉积腔室中使用的阴影掩模电接地的方法和设备。掩模可用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺腔室中，所述工艺腔室可操作以相对于基板对准掩模、将掩模定位在基板上、并且将封装层沉积在形成于基板上的OLED材料上。本文描述的实施方式可与其他类型的工艺腔室一起使用并且不限于与PECVD工艺腔室一起使用。本文描述的实施方式可与其他类型的沉积工艺一起使用，并且不限于用于封装形成于基板上的OLED。本文描述的实施方式可与各种类型、形状和大小的掩模和基板一起使用。此外，可受益于本文公开的掩模的合适腔室可从作为加利福尼亚州圣克拉拉市应用材料公司(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,CA)的子公司的加利福尼亚州圣克拉拉市的美国AKT公司(AKT America,Inc.,Santa Clara,CA)获得。
[0024]图1是根据一个实施方式的PECVD腔室100的示意性横截面图。PECVD腔室100包括腔室主体102，腔室主体102具有穿过一个或多个壁的开口104，以允许一个或多个基板106和掩模108插入腔室主体102中。基板106在处理期间与扩散器113相对地设置在基板支撑件110上。基板支撑件110包括基板接收表面112，基板接收表面112具有形成在基板接收表面112中的多个沟槽115。多个沟槽115用于向定位在多个沟槽115上的基板106提供背侧气体。来自多个沟槽115的背侧气体实现定位在基板支撑件110上的基板106的温度均匀性。背侧气体由气源129提供。气体通过设置在支撑基板支撑件110的杆130中的导管而提供到沟槽115。
[0025]扩散器113具有穿过扩散器113而形成的一个或多个开口114，以允许处理气体或处理材料进入介于扩散器113与基板106之间的处理空间116。处理材料可以是含硅气体、含
铝气体、聚合物材料以及载气和/或反应气体，这些气体在形成于基板106上的OLED装置上形成封装层。
[0026]基板106可用于形成OLED显示器，其中OLED通过在PECVD腔室100中的顺序沉积工艺而形成在基板106的表面上。基板106可以是玻璃基板、聚合物基板或用于形成电子装置的其他合适材料。基板106可以是刚性或柔性的。基板106可用于形成单个显示器或多个显示器。每个显示器包括多个OLED，这些OLED被耦接到围本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：基板接收表面；凹陷部分，所述凹陷部分围绕所述基板接收表面的周边设置；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方；和多个可压缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在相应开口内，所述相应开口形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中。2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述静电吸盘包括粘附到所述基板支撑件的主体的上表面的介电层。3.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述介电层包含陶瓷材料。4.如权利要求2所述的基板支撑件，其中电极嵌入在所述介电层中。5.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述介电层被压印以在所述基板接收表面上形成沟槽图案。6.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述基板接收表面包括沟槽图案。7.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述基板接收表面包括介电层。8.如权利要求7所述的基板支撑件，其中所述介电层延伸到所述基板接收表面之外。9.如权利要求7所述的基板支撑件，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志坚，桑杰伊，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：