集成设备和电子系统技术方案

本公开的各实施例涉及集成设备和电子系统。集成设备包括深插塞。深插塞由深沟槽形成，深沟槽从浅沟槽隔离的浅表面在半导体主体中延伸。沟槽接触件通过浅沟槽，在浅沟槽的浅表面处与深沟槽的导电填料接触。系统包括至少一个具有深插塞的集成设备。根据本公开的实施例，提供了改进的集成设备。提供了改进的集成设备。提供了改进的集成设备。

【技术实现步骤摘要】
集成设备和电子系统


[0001]本公开涉及集成设备和电子系统。

技术介绍

[0002]在下文中，通过与本公开的上下文有关的技术的讨论来引入本公开的背景。然而，即使在该讨论涉及文档、动作、工件等时，它也不暗示或表示所讨论的技术是现有技术的一部分或在与本公开相关的领域中是公知常识。
[0003]深沟槽通常被用在集成设备中，以到达其中集成了它们的芯片(例如，其衬底)的深区域。深沟槽可以填充有(电)绝缘材料。在该情况下，深沟槽被用在深沟槽隔离(DTI)技术中，以将每个芯片的不同区域(深度地)绝缘。深沟槽在其侧表面也可以用(电)绝缘材料涂覆，然后用(电气)导电材料填充，在该情况下，深沟槽用作深插塞，以从每个芯片的前表面(电)接触每个芯片的深区域。例如，深插塞通常用于偏置芯片的衬底，用于从衬底收集寄生电流等。
[0004]通常，每个深沟槽(当被用作深插塞时)通过从前表面(通过对应的掩模)蚀刻芯片直到达到所需深度来形成。沟槽然后用绝缘材料(利用专用步骤在其底部打开)涂覆并且用导电材料填充。最后，绝缘材料被平坦化直到到达芯片的前表面。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成设备，其特征在于，包括：半导体主体，具有主表面和一厚度；以及深插塞，包括：深沟槽，从所述主表面延伸到所述半导体主体中达小于所述厚度的深深度，所述深沟槽具有侧表面，所述侧表面涂覆有电绝缘材料的绝缘涂层，并且所述深沟槽具有导电材料的导电填料，所述导电填料填充经涂覆的所述深沟槽，并且在所述深沟槽的底部处与所述半导体主体进行物理接触和电接触；导电材料的沟槽接触件，与所述导电填料接触；和浅沟槽，从所述主表面延伸到所述半导体主体中，所述浅沟槽在距所述主表面的浅深度处具有浅表面，所述浅深度小于所述深深度，所述浅沟槽填充有电绝缘材料的绝缘填料；其中所述深沟槽在所述浅表面处从所述浅沟槽延伸达所述深深度；并且其中所述沟槽接触件通过沟槽窗口在所述浅表面处与所述导电填料接触，所述沟槽窗口存在于用于所述浅沟槽的所述绝缘填料中。2.根据权利要求1所述的集成设备，其特征在于，所述浅沟槽与所述深沟槽同轴，其中所述浅沟槽的、平行于所述主表面截取的截面大于所述深沟槽的、平行于所述主表面截取的截面，并且其中穿过所述浅沟槽的所述沟槽窗口暴露所述导电填料的中心部分，所述沟槽接触件通过所述沟槽窗口与所述导电填料的所述中心部分接触。3.根据权利要求1所述的集成设备，其特征在于，还包括：第一另外的浅沟槽，将所述半导体主体的低电压区域绝缘；第二另外的浅沟槽，将所述半导体主体的高电压区域绝缘；其中所述低电压区域包括：所述集成设备的一个或多个低电压部件，被设计成在低电压处工作；和一个或多个有源区域，从所述主表面在所述低电压区域中延伸；其中所述高电压区域包括：所述集成设备的一个或多个高电压部件，被设计成在高于所述低电压的高电压处工作；和一个或多个有源区域，从所述另外的浅沟槽中的至少一个选择的浅沟槽的所述浅表面在所述高电压区域中...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：