功率模块与家电设备制造技术

本发明专利技术公开了一种功率模块与家电设备，其中，功率模块包括支撑基体、第一导电层、第二导电层、芯片和引脚组件，其中，第一导电层和第二导电层都设置在支撑基体上，芯片则设置在第一导电层和/或第二导电层上，引脚组件中可以包括多个引脚，并且多个引脚相互平行设置，引脚组件可以设置在第一导电层和/或第二导电层上，并且该引脚组件与芯片之间电连接。由此，本实施例中的功率模块能够降低电路寄生电感，提升引脚通流能力，同时简化生产工序，提高产品良率，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
功率模块与家电设备


[0001]本专利技术涉及电路工艺设计
，尤其涉及一种功率模块和一种家电设备。

技术介绍

[0002]在功率电路中，功率半导体通过导通与关断来控制电能的流动。在一些基于IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双型晶体管)的变换电路中，开关意味着电流在IGBT和续流二极管上来回流动。在一个理想的电路中，IGBT控制着电压和电流的波形，没有任何电压尖峰或振荡存在，只有二极管的反向恢复电流和IGBT的拖尾电流产生了与理想波形的差异，这种开关可以称为干净开关。
[0003]实际的功率电路包含了电感和电容两种主要的寄生参数，这会导致波形与干净开关发生严重偏离，例如：IGBT开通时由于电流上升导致的电压下降；反向恢复电流下降时在二极管上产生的电压尖峰；IGBT关断时由于电流下降导致的电压尖峰；寄生电感和寄生电容形成谐振电路，导致每次开关变换后的衰减振荡。
[0004]寄生参数太大的情况下，会造成电路产生不必要的功耗，从而影响电路的运行，因此，如何降低电路中的寄生参数是一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于，包括：支撑基体；第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层均设于所述支撑基体；芯片，所述芯片设于所述第一导电层和/或所述第二导电层；引脚组件，所述第一导电层和/或所述第二导电层设有所述引脚组件，且所述引脚组件与所述芯片电连接，其中，所述引脚组件包括多个引脚，多个所述引脚相互平行。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，还包括：多条键合线，所述第一导电层和所述第二导电层中的一个设有所述芯片，所述多条键合线连接在所述芯片和未设有所述芯片的所述导电层之间。3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，还包括：多条键合线，所述第一导电层和所述第二导电层均设有所述芯片，所述多条键合线连接在所述第一导电层的所述芯片和所述第二导电层的所述芯片之间。4.根据权利要求2或3中任一项所述的功率模块，其特征在于，多个所述引脚在所述支撑基体的第一方向依次设置。5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，多个所述引脚中至少两个相邻的所述引脚在所述第一方向依次间隔开。6.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏宇泉，许崴，兰昊，黄德星，
申请(专利权)人：美垦半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：