封装的多芯片半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。合绝缘层上。合绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】
封装的多芯片半导体装置
[0001]本申请要求于2020年5月18日提交的第10
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2020
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0059328号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开内容据此通过引用包含于此。


[0002]专利技术构思涉及封装的半导体装置，更具体地，涉及封装的多芯片半导体装置。

技术介绍

[0003]高性能和紧凑的电子设备一直被不断地需求。由于这些需求，已经开发了包括多个半导体芯片的半导体封装件。例如，多个半导体芯片可以在垂直方向上堆叠，从而减小半导体封装的布局面积并提供多功能和/或高性能半导体封装件。

技术实现思路

[0004]专利技术构思提供了一种集成电路封装件以及一种制造该集成电路封装件的方法，在集成电路封装件中，多个半导体芯片在没有任何凸块(例如，焊球)的情况下经由接合连接。
[0005]根据专利技术构思的一方面，提供了一种封装的半导体装置，所述封装的半导体装置包括：第一连接结构；第一半导体芯片；位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，定位在第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装的半导体装置，所述半导体装置包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，定位在第一连接结构的上表面上，并且至少部分地围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，至少部分地围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，至少部分地围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接合绝缘层直接接触第一接合绝缘层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：连接构件，穿透第一模制层；第三接合垫，定位在连接构件上，并且至少部分地被第一接合绝缘层围绕；以及第四接合垫，直接接触第三接合垫，并且至少部分地被第二接合绝缘层围绕。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片包括基底、位于基底上的半导体器件以及穿透基底的贯穿基底过孔。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片还包括：第一芯片垫，位于贯穿基底过孔与第一接合垫之间；以及第二芯片垫，位于贯穿基底过孔与第一连接结构之间。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片包括基底以及与基底的表面相邻的半导体器件。7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：外部连接端子，位于第一连接结构的下表面上。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一连接结构的侧表面与第一模制层的侧表面共面。9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第一模制层与第一接合绝缘层之间的第二连接结构。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二半导体芯片的侧表面与第一模制层的侧表面共面。11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括定位在第二接合绝缘层上并且至少部分地围绕第二半导体芯片的第二模制层。12.一种封装的半导体装置，所述半导体装置包括：再分布结构；焊料凸块，位于再分布结构的第一表面上；第一半导体芯片，位于再分布结构的第二表面上，所述第一半导体芯片包括：基底；下芯片垫，位于基底的下表面上；上芯片垫，位于基底的上表面上；以及贯穿基底过孔，位于基底中，贯穿基底过孔在下芯片垫与上芯片垫之间延伸；第一模制层，位于再分布结构的第二表面上，并且至少部...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赫宰，李种昊，金志勳，金泰勳，朴相天，薛珍暻，李相勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：