封装的多芯片半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。合绝缘层上。合绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】
封装的多芯片半导体装置
[0001]本申请要求于2020年5月18日提交的第10
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2020
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0059328号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开内容据此通过引用包含于此。


[0002]专利技术构思涉及封装的半导体装置，更具体地，涉及封装的多芯片半导体装置。

技术介绍

[0003]高性能和紧凑的电子设备一直被不断地需求。由于这些需求，已经开发了包括多个半导体芯片的半导体封装件。例如，多个半导体芯片可以在垂直方向上堆叠，从而减小半导体封装的布局面积并提供多功能和/或高性能半导体封装件。

技术实现思路

[0004]专利技术构思提供了一种集成电路封装件以及一种制造该集成电路封装件的方法，在集成电路封装件中，多个半导体芯片在没有任何凸块(例如，焊球)的情况下经由接合连接。
[0005]根据专利技术构思的一方面，提供了一种封装的半导体装置，所述封装的半导体装置包括：第一连接结构；第一半导体芯片；位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，定位在第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，定位在第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘，层围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。
[0006]根据专利技术构思的另一方面，提供了一种封装的半导体装置，所述封装的半导体装置包括：再分布结构；焊料凸块，位于再分布结构的下表面上；第一半导体芯片，定位在再分布结构的上表面上。第一半导体芯片包括：基底；下芯片垫，位于基底的下表面上；上芯片垫，位于基底的上表面上；以及贯穿基底过孔(TSV)，通过穿透基底而在下芯片垫与上芯片垫之间延伸。还提供了第一模制层，第一模制层定位在再分布结构的上表面上，并且至少部分地围绕第一半导体芯片。第一接合垫设置在第一半导体芯片的上芯片垫上。提供了第一接合绝缘层，第一接合绝缘层定位在第一半导体芯片的上表面和第一模制层的上表面上(并且至少部分地围绕第一接合垫)。提供了第二接合垫，第二接合垫直接接触第一接合垫。提供了第二接合绝缘层，第二接合绝缘层直接接触第一接合绝缘层，并且围绕第二接合垫。并且，第二半导体芯片设置在第二接合垫上和第二接合绝缘层上。
[0007]根据专利技术构思的另一方面，提供了一种封装的半导体装置，所述封装的半导体装置包括：连接结构；第一半导体芯片，位于连接结构的上表面上；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，定位在第一半导体芯片上，并且至少部分地围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；以及第二接合绝缘层，至少部分地围绕第二接合垫。第二半导体芯片还设置在第二接合垫和第二接合绝缘层上。提供了第一模制层，第一模制层定位在第二接合绝缘层上，并且至少部分地围绕第二半导体芯片。
[0008]根据专利技术构思的另一方面，提供了一种封装的半导体装置，所述封装的半导体装置包括：封装基底；中介体，位于封装基底上；第一接合垫和第二接合垫，位于中介体上；以及第一接合绝缘层，定位在中介体上，并且至少部分地围绕第一接合垫和第二接合垫。还提供了第三接合垫并且提供了第四接合垫，第三接合垫直接接触第一接合垫，第四接合垫直接接触第二接合垫。提供了第二接合绝缘层，第二接合绝缘层至少部分地围绕第三接合垫和第四接合垫。第一半导体芯片设置在第二接合绝缘层和第三接合垫上，第二半导体芯片设置在第二接合绝缘层和第四接合垫上。提供了模制层，模制层定位在第二接合绝缘层上，并且至少部分地围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片。
附图说明
[0009]根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解专利技术构思的示例性实施例，在附图中：
[0010]图1是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0011]图2是图1的区域A的放大视图；
[0012]图3A和图3B是图1的区域A的修改的放大视图；
[0013]图4是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0014]图5是图4的区域B的放大视图；
[0015]图6是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0016]图7是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0017]图8是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0018]图9是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0019]图10是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0020]图11是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0021]图12是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0022]图13是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0023]图14是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0024]图15是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0025]图16是根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置的剖视图；
[0026]图17A至图17H是示出根据专利技术构思的实施例的制造封装的半导体装置的方法的剖视图；
[0027]图18A至图18D是示出根据专利技术构思的实施例的制造封装的半导体装置的方法的剖视图；
[0028]图19是示出根据专利技术构思的实施例的封装的半导体装置制造方法的剖视图；
[0029]图20A和图20B是示出根据专利技术构思的实施例的半导体封装件制造方法的剖视图；
[0030]图21是示出根据专利技术构思的实施例的半导体封装件制造方法的剖视图；
[0031]图22是示出根据专利技术构思的实施例的半导体封装件制造方法的剖视图；
[0032]图23是示出根据专利技术构思的实施例的半导体封装件制造方法的剖视图；
[0033]图24是示出根据专利技术构思的实施例的半导体封装件制造方法的剖视图；以及
[0034]图25A和图25B是示出根据专利技术构思的实施例的半导体封装件制造方法的剖视图。
具体实施方式
[0035]图1是根据专利技术构思的实施例的半导体封装件100的剖视图。图2是图1的区域A的放大视图。图3A和图3B是图1的区域A的修改的放大视图。
[0036]参照图1、图2、图3A和图3B，半导体封装件100可以包括第一连接结构130、位于第一连接结构130的上表面上的第一半导体芯片140、至少部分地围绕第一半导体芯片140的第一模制层MD1、位于第一半导体芯片140上的第一接合垫(pad，或称为“焊盘”)BP1、位于第一半导体芯片140和第一模制层MD1上的第一接合绝缘层BO1、与第一接合垫BP1直接接触的第二接合垫BP2、至少部分地围绕第二接合垫BP2的第二接合绝缘层BO2以及位于第二接合垫BP2和第二接合绝缘层BO2上的第二半导体芯片150。
[0037]根据一些实施例，半导体封装件100还可以包括位于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装的半导体装置，所述半导体装置包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，定位在第一连接结构的上表面上，并且至少部分地围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，至少部分地围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，至少部分地围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接合绝缘层直接接触第一接合绝缘层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：连接构件，穿透第一模制层；第三接合垫，定位在连接构件上，并且至少部分地被第一接合绝缘层围绕；以及第四接合垫，直接接触第三接合垫，并且至少部分地被第二接合绝缘层围绕。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片包括基底、位于基底上的半导体器件以及穿透基底的贯穿基底过孔。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片还包括：第一芯片垫，位于贯穿基底过孔与第一接合垫之间；以及第二芯片垫，位于贯穿基底过孔与第一连接结构之间。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片包括基底以及与基底的表面相邻的半导体器件。7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：外部连接端子，位于第一连接结构的下表面上。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一连接结构的侧表面与第一模制层的侧表面共面。9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第一模制层与第一接合绝缘层之间的第二连接结构。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二半导体芯片的侧表面与第一模制层的侧表面共面。11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括定位在第二接合绝缘层上并且至少部分地围绕第二半导体芯片的第二模制层。12.一种封装的半导体装置，所述半导体装置包括：再分布结构；焊料凸块，位于再分布结构的第一表面上；第一半导体芯片，位于再分布结构的第二表面上，所述第一半导体芯片包括：基底；下芯片垫，位于基底的下表面上；上芯片垫，位于基底的上表面上；以及贯穿基底过孔，位于基底中，贯穿基底过孔在下芯片垫与上芯片垫之间延伸；第一模制层，位于再分布结构的第二表面上，并且至少部...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赫宰，李种昊，金志勳，金泰勳，朴相天，薛珍暻，李相勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：