【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及智能功率模块，尤其涉及一种智能功率模块及其保护电路、电器设备。
技术介绍
1、ipm(intelligent power module，智能功率模块)由门极驱动芯片，以及功率器件，如igbt(insulate-gate bipolar transisto，绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)、frd(fast recovery diode，快恢复二极管)等构成，可实现功率因素校正、三相逆变等功能。
2、在智能功率模块中，igbt、mosfet等晶体管的栅极连接驱动芯片，集电极和发射极直接引出到引脚，连接外部的高压电回路，并未对晶体管做静电保护。由于igbt、mosfet等晶体管均含有栅氧层，是抗静电能力最弱的部分，在使用时容易被击穿。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的目的...
【技术保护点】
1.一种智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述智能功率模块包括驱动芯片和功率开关管，所述保护电路包括：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述静电释放子电路的数量为一个，所述静电释放子电路连接在所述驱动芯片的地端与所述智能功率模块中功率校正电路的功率开关管的发射极之间。
3.根据权利要求1所述的智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述静电释放子电路的数量为一个，所述静电释放子电路连接在所述驱动芯片的地端与所述智能功率模块中三相下桥臂电路的一个或者多个功率开关管的发射极之间。
4.根据权利要求1所述的智能功...
【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述智能功率模块包括驱动芯片和功率开关管，所述保护电路包括：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述静电释放子电路的数量为一个，所述静电释放子电路连接在所述驱动芯片的地端与所述智能功率模块中功率校正电路的功率开关管的发射极之间。
3.根据权利要求1所述的智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述静电释放子电路的数量为一个，所述静电释放子电路连接在所述驱动芯片的地端与所述智能功率模块中三相下桥臂电路的一个或者多个功率开关管的发射极之间。
4.根据权利要求1所述的智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述静电释放子电路的数量为两个，一个所述静电释放子电路连接在所述驱动芯片的地端与所述智能功率模块中功率校正电路的功率开关管的发射极之间，另一个所述静电释放子电路连接在所述驱动芯片的地端与所述智能功率模块中三相下桥臂电路的一个或多个功率开关管的发射极之间。
5.根据权利要求1所述的智能功率模块的保护电路，其特征在于，所述静电释放子电路的数量为三个，第一个所述静电释放子...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏宇泉，兰昊，刘俊曼，
申请(专利权)人：美垦半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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