负电阻温度系数的厚膜热敏电阻器用组合物制造技术

包含微细颗粒掺和物的厚膜热敏电阻膏状物，其基本组成为ａ）一个导电相，基本组成为（１）至少１种有正ＴＣＲ的铂族金属氧化物，和（２）Ｃｏ↓［２］ＲｕＯ↓［４］；ｂ）一种无机粘合剂，其膨胀计软化点为４５０～７５０℃，含有过渡金属氧化物，但不含碱金属氧化物；ｃ）一种填料，选自玻璃质二氧化硅、锆石和它们的混合物。ａ）～ｃ）全都分散于ｄ）一种有机介质。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及厚膜热敏电阻组合物，尤其涉及电阻热系数为负值的那些组合物。热敏电阻是对热敏感的、电阻温度系数大的电阻器。它们有两类。第一类表现出电阻随温度上升发生正变化(PTC)，第二类则表现出电阻随温度上升发生负变化(NTC)。NTC热敏电阻通常由烧结的半导体材料组成，可用来制作室温下阻值为10～1，000，000欧姆的元件。这类热敏电阻的工作范围为75～为275K。因此，它们广泛用作温度探测器。然而，热敏电阻广泛用于这样一些其它用途，如电子延时器，电容器，低频振荡器中的电感器，过压波抑制器，电压或电流限制器，气体压力传感器，热导检测器，液体或气体流量传感器，及固体或液体水平指示器。无论它们用于何种用途，至关重要的是这种热敏电阻有下列性质(1)电阻温度系数(TCR)大;(2)有效阻值范围大;(3)在合理温度范围内能在固体、液体或气体环境中工作;(4)可制成各种各样的尺寸和形状;和(5)能耐受机械应力和电应力。一种厚膜电阻器膏状物包含一种微细颗粒掺和物，以固体总重量为基准，其基本组成为A.20～60%重量的导电相，其基本组成为(1)至少一种有正TCR的铂族金属氧化物，和(2)Co本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种厚膜电阻器膏状物，包含微细颗粒的一种掺和物，以固体总重量为基准，其基本组成为：Ａ．２０～６０％（重量）的导电相，其基本组成为：（１）至少１种有正ＴＣＲ的铂族金属氧化物，和（２）ＣＯ↓［２］ＲｕＯ↓［４］，其中（１）与（２）的比值为０．０３～０．２５；Ｂ．７５～２０％（重量）的一种软化点低于７００℃的无机粘合剂，它不含碱金属氧化物，但含有１～１０％（摩尔）原子序数为２２～２８、４１、４２和７４的过渡金属氧化物；Ｃ．５～２０％（重量）填料，选自玻璃质二氧化硅、锆石和它们的混合物；Ａ、Ｂ和Ｃ全都分散于：Ｄ．一种有机介质。

【技术特征摘要】
US 1991-9-30 767,8451.一种厚膜电阻器膏状物，包含微细颗粒的一种掺和物，以固体总重量为基准，其基本组成为A.20～60%(重量)的导电相，其基本组成为(1)至少1种有正TCR的铂族金属氧化物，和(2)Co2RuO4，其中(1)与(2)的比值为0.03～0.25；B.75～20%(重量)的一种软化点低于700℃的无机粘合剂，它不含碱金属氧化物，但含有1～10%(摩尔)原子序数为22～28、41、42和74的过渡金属氧化物；C.5～20%(...

【专利技术属性】
技术研发人员：J霍马达利，
申请(专利权)人：纳幕尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]