本发明专利技术涉及一种叠层片式负温度系数热敏电阻及其制备方法，该热敏电阻以四氧化三锰、四氧化三钴、三氧化二镍、二氧化硅为原料，采用将原料粉体用机械球磨法合成负温度系数热敏精细粉体，再用流延工艺(薄带浇注)、烧结及涂敷金属电极技术即可得到叠层片式负温度系数热敏电阻，所得叠片片式负温度系数热敏电阻体积小，精度高，其材料常数B值为4030-4105，B值允许偏差：±1％，该叠层片式负温度系数热敏电阻的电阻值R25℃＝32-208.5KΩ。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前负温度系数(NTC)热敏电阻广泛地应用于温度控制、温度检测、温度补偿、集成电路保护等场合，其中片式NTC热敏电阻可用于电信、家用电器、汽车及医疗等领域的温度控制、温度检测、温度补偿、集成电路保护。近年来由于这些领域特别是移动通信及汽车产业的迅速发展，对用于这些产业特别是作为温度补偿晶体振荡器上的片式NTC热敏电阻的要求显著增长，而因为片式NTC热敏电阻的生产，尤其是其中叠层片式NTC热敏电阻的生产，所需投入过大且还存在许多技术工艺需要解决的问题，片式NTC热敏电阻的性能，如精度较低，已经不能满足这些需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种，该热敏电阻以四氧化三锰、四氧化三钴、三氧化二镍、二氧化硅为原料，采用将原料粉体用机械球磨法合成负温度系数热敏精细粉体，再用流延工艺(薄带浇注)、烧结及涂敷金属电极技术即可得到叠层片式负温度系数热敏电阻，所得叠片片式负温度系数热敏电阻体积小，精度高，其材料常数B值为4030-4165，电阻值Ι 25 = 32. 9-208.，可调，克服了现有技术的不足。该方法采用机械球磨法合成NTC热敏精细粉体，并采用流延工艺、烧结工艺及涂敷金属电极工艺技术得到叠层片式负温度系数热敏电阻。通过该方法获得的叠层片式负温度系数热敏电阻，精度高，其材料常数B值为4030-4105，B值允许偏差士 1 %，该叠层片式负温度系数热敏电阻的电阻值Kre= 32-208. 5ΚΩ,本专利技术所述的一种，按下列步骤进行a、以分析纯四氧化三锰、四氧化三钴、三氧化二镍和二氧化硅为原料，按摩尔比 16-17. 2 15. 3 0. 7 0. 5-4. 5 进行混合，得到粉体；b、将步骤a得到的混合粉体按重量比粉体去离子水锆球1 1 4在超细球磨机中球磨3小时，得到混合均勻的浆料；C、将步骤b浆料在温度120°C的烘箱中烘干，再研磨30-60分钟，置于马弗炉中温度700°C预烧2小时，得到黑色的负温度系数热敏精细粉体；d、将步骤c粉体按重量比粉体流延剂1 0.9在玛瑙罐中研磨混合24小时，得到负温度系数热敏流延浆料；e、将步骤d所得流延浆料在流延机上成膜，按常规方法进行叠片，热压，切割，高温排粘，再放入烧结炉进行高温烧结，烧结温度为1000°c -1200°c，恒温时间为2小时；f、将步骤e所得烧结体制备外电极后，经温度125°C热老化1000小时即得到叠层片式负温度系数热敏电阻。步骤d中所述流延剂为甲苯、LS-粘合剂(市售)和酒精的混合物，其重量比为 0.9 1 0.6。步骤e在成膜中单层膜片厚度为50 μ m士2 μ m，叠层膜片厚度1600 μ m士64 μ m。本专利技术所述的，该方法对所得负温度系数热敏烧结体制备外电极是将负温度系数热敏烧结体在到角机进行倒角，并在其端头经涂敷机涂敷外电极，在马弗炉中烧渗电极。本专利技术所述，采用机械球磨法合成NTC 热敏精细粉体，并采用流延工艺、烧结工艺及涂敷金属电极工艺技术得到叠层片式负温度系数热敏电阻，所得叠片式负温度系数热敏电阻精度高，其材料常数B值为4030-4105，B 值允许偏差士 1%，该叠层片式负温度系数热敏电阻的电阻值I 25。c= 32-208.涨0，可调。附图说明图1为本专利技术X-射线衍射图谱图2为本专利技术扫描电镜3为本专利技术阻温关系图具体实施例方式实施例1a、以分析纯四氧化三锰、四氧化三钴、三氧化二镍和二氧化硅为原料，按摩尔比 17.2 15. 3 0. 7 0.5进行混合，得到粉体；b、将步骤a得到的混合粉体按重量比粉体去离子水锆球1 1 4在超细球磨机中球磨3小时，得到混合均勻的浆料；C、将步骤b浆料在温度120°C的烘箱中烘干，再研磨30分钟，置于马弗炉中温度 700°C预烧2小时，得到黑色的负温度系数热敏精细粉体；d、将步骤c粉体按重量比粉体流延剂1 0. 9在玛瑙罐中研磨混合M小时， 得到负温度系数热敏流延浆料，其中流延剂为甲苯、LS-粘合剂(市售)和酒精按重量比 0. 9 1 0. 6进行混合均勻；e、将步骤d所得流延浆料在流延机上成膜，成膜中单层膜片厚度为50 μ m士2 μ m， 叠层膜片厚度1600 μ m士64 μ m,按常规方法进行叠片，热压，切割，高温排粘，再放入烧结炉进行高温烧结，烧结温度为ΙΟΟΟ ，恒温时间为2小时；f、将步骤e所得烧结体制备外电极后，经温度125°C热老化1000小时即可得到元件尺寸为2. OmmX 1. 25mmX0. 5mm叠层片式负温度系数热敏电阻元件，材料常数B = 4050， B值允许偏差士 1 %，电阻值38K Ω。实施例2a、以分析纯四氧化三锰、四氧化三钴、三氧化二镍和二氧化硅为原料，按摩尔比 16 15.3 0.7 4. 5进行混合，得到粉体；b、将步骤a得到的混合粉体按重量比粉体去离子水锆球1 1 4在超细球磨机中球磨3小时，得到混合均勻的浆料；C、将步骤b浆料在温度120°C的烘箱中烘干，再研磨40分钟，置于马弗炉中温度700°C预烧2小时，得到黑色的负温度系数热敏精细粉体；d、将步骤c粉体按重量比粉体流延剂1 0. 9在玛瑙罐中研磨混合M小时， 得到负温度系数热敏流延浆料，其中流延剂为甲苯、LS-粘合剂(市售)和酒精按重量比 0. 9 1 0. 6进行混合均勻；e、将步骤d所得流延浆料在流延机上成膜，成膜中单层膜片厚度为50 μ m士2 μ m， 叠层膜片厚度1600 μ m士64 μ m,按常规方法进行叠片，热压，切割，高温排粘，再放入烧结炉进行高温烧结，烧结温度为1050°C，恒温时间为2小时；f、将步骤e所得烧结体制备外电极后，经温度125°C热老化1000小时即得到元件尺寸为2. 0mmX1.25mmX0. 5mm叠层片式负温度系数热敏电阻元件，材料常数B = 4054，B 值允许偏差士 1 %，电阻值39. IΩ。实施例3a、以分析纯四氧化三锰、四氧化三钴、三氧化二镍和二氧化硅为原料，按摩尔比 16.5 15. 3 0. 7 3.0进行混合，得到粉体；b、将步骤a得到的混合粉体按重量比粉体去离子水锆球1 1 4在超细球磨机中球磨3小时，得到混合均勻的浆料；C、将步骤b浆料在温度120°C的烘箱中烘干，再研磨50分钟，置于马弗炉中温度 700°C预烧2小时，得到黑色的负温度系数热敏精细粉体；d、将步骤c粉体按重量比粉体流延剂1 0. 9在玛瑙罐中研磨混合M小时， 得到负温度系数热敏流延浆料，其中流延剂为甲苯、LS-粘合剂(市售)和酒精按重量比 0. 9 1 0. 6进行混合均勻；e、将步骤d所得流延浆料在流延机上成膜，成膜中单层膜片厚度为50 μ m士2 μ m， 叠层膜片厚度1600 μ m士64 μ m,按常规方法进行叠片，热压，切割，高温排粘，再放入烧结炉进行高温烧结，烧结温度为1150°C，恒温时间为2小时；f、将步骤e所得烧结体制备外电极后，经温度125°C热老化1000小时即得到元件尺寸为2. 0mmX1.25mmX0. 5mm叠层片式负温度系数热敏电阻元件，材料常数B = 4039，B 值允许偏差士 1 %，电阻值114. 7K Ω。实施例4a、以分析本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种叠层片式负温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于按下列步骤进行：ａ、以分析纯四氧化三锰、四氧化三钴、三氧化二镍和二氧化硅为原料，按摩尔比１６－１７．２∶１５．３∶０．７∶０．５－４．５进行混合，得到粉体；ｂ、将步骤ａ得到的混合粉体按重量比粉体∶去离子水∶锆球１∶１∶４在超细球磨机中球磨３小时，得到混合均匀的浆料；ｃ、将步骤ｂ浆料在温度１２０℃的烘箱中烘干，再研磨３０－６０分钟，置于马弗炉中温度７００℃预烧２小时，得到黑色的负温度系数热敏精细粉体；ｄ、将步骤ｃ粉体按重量比粉体∶流延剂１∶０．９在玛瑙罐中研磨混合２４小时，得到负温度系数热敏流延浆料；ｅ、将步骤ｄ所得流延浆料在流延机上成膜，按常规方法进行叠片，热压，切割，高温排粘，再放入烧结炉进行高温烧结，烧结温度为１０００℃－１２００℃，恒温时间为２小时；ｆ、将步骤ｅ所得烧结体制备外电极后，经温度１２５℃热老化１０００小时即得到叠层片式负温度系数热敏电阻。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：康雪雅，王海珍，韩英，孙光臣，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：65
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