【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包含由稀土金属氧化物的混晶氧化物组成的半导体陶瓷的高温热敏电阻，特别是涉及可用于从室温至1100℃整个温度范围的热敏电阻。作为在沉浸控制领域中新应用的结果，高温热敏电阻已在近几年来变得更为重要。例如，它们被用作测定工业废气温度的温度传感器或作为温控装置及在汽车中催化废气燃烧的最大温度防护。它们用于汽车中的温度通常在600-1100℃之间，而在如此高的温度下只有最适宜的催化废气燃烧才能发生。在该温度范围内，由氧化的半导体陶瓷制成的热敏电阻比较起热电偶来具有大得多的输出信号的优点，因而一个较简单的电路技术即满足了信号处理的需要。由于其电阻显示出负的温度系数(NTC)，热敏电阻也被称为NTC电阻器。根据等式ρ＝ρ0expB(1/T-1/T0)，当温度增加时，NTC电阻器的电阻率大致呈指数性减少，上式中，ρ与ρ0分别是绝对温度为T和T0时的电阻率，B为常数，T是以开尔文(0K)表达的温度。对热敏电阻而言，如果电阻/温度特性曲线越陡则越有帮助。倾斜率取决于常数B。对热敏电阻已知的技术解决方法是利用由基于过渡金属元素的尖晶石型或钙钛矿型氧化物的氧化的半导体...
【技术保护点】
包含由组成为［Ｙ↓［ａ］Ｇｄ↓［ｂ］Ｓｍ↓［ｃ］Ｔｂ↓［ｄ］］↓［２］Ｏ↓［３］的稀土金属混晶氧化物组成的半导体陶瓷的热敏电阻，其中：０≤ａ≤０．９９５０≤ｂ≤０．９９５０≤ｃ≤０．９９５０≤ｄ≤０．９９５和若ｂ＝０则ａ＞０，或若ａ＝０则ｂ＞０。
【技术特征摘要】
DE 1996-5-31 19621934.51.包含由组成为[YaGdbSmcTbd]2O3的稀土金属混晶氧化物组成的半导体陶瓷的热敏电阻，其中0≤a≤0.9950≤b≤0.9950≤c≤0.9950≤d≤0.995和若b＝0则a＞0，或若a＝0则b＞0。2.权利要求1的热敏电阻，其特征有于混晶氧化物具有C-M2O3型立方晶体结构。3.权利要求2的热敏电阻，其特征有于该混晶氧化物还掺杂有选自钕、铕、钆、镝、钬、铒、铥、镱和镥中的一种元素。4.权利要求1的热敏电阻，其特征有于0.5≤a≤0.99b＝0c＝00.01≤d≤0.5。5.权利要求1的热敏电阻，其特征在于0...
【专利技术属性】
技术研发人员：WA格伦，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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