【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种变热敏材料常数(B值)宽温区热敏电阻通常认为使用温区能达到250℃或更宽的热敏电阻为宽温区热敏电阻。宽温区热敏电阻一般是为配合数字仪表而使用的。这要求宽温区热敏电阻在使用温区内阻值变化不超过三个数量级和高温端阻值不能太小,即宽温区热敏电阻应具有高阻低B值电学特性。已有的宽温区热敏电阻(参见US Pat3,510,820,无机材料学报,1992,7(3)318-321)存在两个主要问题1)选材上存在着困难。通常热敏电阻的室温电阻率与其B值成正比关系,高阻材料具有高B值,低阻材料具有低B值。这样满足宽温区热敏电阻的高阻低B值要求就有一定的难度。2)热敏电阻的温度系数α=-B/T。一般热敏电阻的B值随着温度的提高仅有小幅度的增加。因此随着温度的增加,热敏电阻的温度系数将显著降低,从而影响其使用温区的拓宽。为解决目前存在的问题,本专利技术经过大量的研究试验,研制出适合0-300℃温区内使用的铁系宽温区热敏电阻。本专利技术目的在于,研制的变热敏材料常数(B值)宽温区热敏电阻,该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻, ...
【技术保护点】
一种变热敏材料常数宽温区热敏电阻,其特征在于,该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻,采用予烧、烧结、高温快速还原处理的方法制成,所述原料各组份的配比为(含量为原子百分比):氧化镁10-40at%、氧化锰40-10at%、三氧化二铁20-80at%。
【技术特征摘要】
1.一种变热敏材料常数宽温区热敏电阻,其特征在于,该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻,采用予烧、烧结、高温快速还原处理的方法制成,所述原料各组份的配比为(含量为原子百分比)氧化镁10-40at%、氧化锰40-10at%、三氧化二铁20-80at%。2.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆峰,程家骐,李凤翔,
申请(专利权)人:中国科学院新疆物理研究所,
类型:发明
国别省市:65[中国|新疆]
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