钛酸钡粉末、半导体陶瓷和半导体陶瓷电子元件制造技术

本发明专利技术提供一种具有８００Ｖ／ｍｍ或更多的绝缘强度和室温下电阻率为１００Ω.ｃｍ或更小，在室温下电阻率基本上不随时间而变化的钛酸钡粉末。本发明专利技术的钛酸钡粉末假定为立方晶系。该粉末颗粒大小为０．１μｍ或更小，通过ＸＰＳ获得的以ＢａＣＯ↓［３］／ＢａＯ表示的比率为０．４２或更小、晶格常数为０．４０２０ｎｍ或更多和以Ｂａ／Ｔｉ表示的比率为０．９８８－０．９９５。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种钛酸钡粉末，特别涉及一种用于生产具有正温度系数特性的半导体陶瓷的钛酸钡粉末。用于在恒温下控制温度、限制电流、产生热和类似应用的电子元件已经使用了具有正温度系数特性(下文中称之为PTC特性)的半导体陶瓷，其中当温度升高到超过居里温度时，其电阻急剧增加。目前已广泛使用钛酸钡陶瓷作为这种半导体陶瓷。在最近几年中，越来越需要用于上述应用中具有高耐电压(即高绝缘强度)和由此可以在高电压下使用的半导体陶瓷电子元件。特别地，在电路过流保护元件中使用的半导体陶瓷元件必须具有高的耐电压。一种对获得具有高绝缘强度的半导体陶瓷行之有效的已知方法是减小用作原料的钛酸钡粉末的颗粒大小。因此，研究已经集中在减小颗粒大小上。例如，日本专利公开号(kokoku)60-25004公开了一种颗粒大小为1-5μm和最大绝缘强度为500v/mm的半导体陶瓷通过粉碎和混合钛酸钡和半导性剂氧化锑粉碎和混合、在控制条件下煅烧、在控制条件下压实、和在1350℃下煅烧来获得。然而，传统的钛酸钡及其不导电陶瓷存在下列缺点1和2。1．为了有效地减小室温下的电阻率，优选将钛酸钡粉末在大约1300℃下煅烧。然而，当粉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平均颗粒大小为０．１μｍ或更小的立方晶系钛酸钡粉末，其中通过ＸＰＳ获得的以ＢａＣＯ↓［３］／ＢａＯ表示的比率为０．４２或更小、晶格常数为０．４０２０ｎｍ或更多和以Ｂａ／Ｔｉ表示的比率为０．９８８－０．９９５。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1998-5-12 128853/981．一种平均颗粒大小为0.1μm或更小的立方晶系钛酸钡粉末，其中通过XPS获得的以BaCO3/BaO表示的比率为0.42或更小、晶格常数为0.402...

【专利技术属性】
技术研发人员：川本光俊，新见秀明，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]