一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法技术

本发明专利技术涉及一种高分子ＰＴＣ热敏电阻器的制造及热处理方法，高分子ＰＴＣ热敏电阻器芯材配料、成片过程中，在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上４０～８０℃的加热设备中，４～６小时，然后迅速将其转移至－２０℃～－６０℃的冷冻设备中使其迅速冷却１～２小时。本发明专利技术通过采用合适的高低温相结合的热处理工艺，有效地改善了ＰＴＣ热敏电阻器中结晶性高聚物的结晶形态，可使晶粒变得细小而均匀，并使ＰＴＣ热敏电阻器中导电填料、无机非导电填料、各种助剂在高聚物的基体中分布得更加均匀，提高了ＰＴＣ热敏电阻的内部组成的均匀性，使得其各种性能如：室温电阻、耐流或耐压能力、耐流或耐压后的电阻变化率等更均一。提高了高分子ＰＴＣ热敏电阻器性能的均匀性、一致性，进而提高了成品率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一种高分子PTC热敏电阻器的制造方法，涉及以结晶高聚物为主要原料的电子元器件制造方法。本专利技术目的可通过下述技术方案实现一种高分子PTC热敏电阻器的制造方法，高分子PTC热敏电阻器芯材配料、成片及制成芯片的过程中，在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上40～80℃的加热设备中足够长的时间，一般4～6小时，然后迅速将其转移至-20～-60℃的冷冻设备中使其迅速冷却足够长的时间，一般1～2小时。所述的芯片由高分子聚合物、导电填料、无机非导电填料以及各种助剂通过挤出机或密炼机或开炼机等混炼设备熔融混合成芯材成片后，再通过压机将电极片复合于芯材两面，由冲床冲成芯片。此制造方法可适用于如下几种形式的这种高分子PTC热敏电阻器，包括1)单一的由芯材和贴覆于上述芯材两面的金属箔片构成的芯片组成；2)由芯片以及焊接在芯片的金属箔片外表面上的引出电极组成；3)由芯片、焊接在芯片的金属箔片外表面上的引出电极以及包覆在芯片外面的绝缘层构成。由于结晶性高聚物的结晶形态与冷却速率密切相关，通过采用合适的高低温相结合的热处理工艺，有效地改善了PTC热敏电阻器组成材料中结晶性高聚物的结晶形态，可使晶粒变得细小而均匀，并使PTC热敏电阻器组成材料中导电填料、无机非导电填料、各种助剂在高聚物的基体中分布得更加均匀。这样便提高了PTC热敏电阻的内部组成的均匀性，使得其各种性能如室温电阻、耐流或耐压能力、耐流或耐压后的电阻变化率更均一。本专利技术的优越性在于，本专利技术采用合适的高低温相结合的热处理工艺，使得组成芯片的各种填料先在较高温度下依靠热运动充分分散于高聚物中，随后在迅速冷却的情况下使得高聚物的晶粒变得细小而均匀，从而制得性能均匀一致、成品率较高的高分子PTC热敏电阻器。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子ＰＴＣ热敏电阻器的制造及热处理方法，高分子ＰＴＣ热敏电阻器芯材配料、成片及制成芯片的过程中，其特征在于在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上４０～８０℃的加热设备中，４～６小时，然后迅速将其转移至－２０℃～－６０℃的冷冻设备中使其迅速冷却１～２小时。

【技术特征摘要】
1.一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法，高分子PTC热敏电阻器芯材配料、成片及制成芯片的过程中，其特征在于在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上40～80℃的加热设备中，4～6小时，然后迅速将其转移至-20℃～-60℃的冷冻设备中使其迅速冷却1～2小时。2.根据权利1要求所述的一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法，其特征在于应用于单一的由芯材和贴覆于芯材两面的金属箔片所构成的芯片组成的高分子PTC热敏电阻器。3.根据权利1要求所述的一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法，其特征在于应用于由芯片以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦玉廷，侯李明，王军，杨兆国，
申请(专利权)人：上海维安热电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]