【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的制备方法，特别涉及一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷熟料制备工艺。
技术介绍
提高ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷电位梯度的常规方法是减小ZnO晶粒的尺寸。如果在ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷中掺杂适量的稀土氧化物，稀土氧化物或其所形成的相仅存在于晶界处，起到显著的“钉扎”作用，明显抑制了ZnO晶粒的生长，可使ZnO晶粒尺寸降到5μm左右，因而相应的电位梯度值可达到400V/mm或以上。所以掺杂稀土氧化物是公认的提高ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷电位梯度的主要方法。目前，稀土氧化物掺杂方法只涉及对小形试样(约φ10×1mm)的研究；稀土氧化物掺杂对大形试样(大于φ50×24mm)的结构及整体电气性能的影响未见有报道。实验结果表明，稀土氧化物掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷按传统的热处理工艺制备的大形试样，其电位梯度沿轴向的分布是不均匀的，即表层电位梯度高而内层低，这种现象称之为“软心”现象。“软心”现象的出现表明稀土氧化物的掺杂改变了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的显微结构，尤其是晶界结构，进而影响到压敏陶瓷...
【技术保护点】
一种稀土氧化物掺杂的ＺｎＯ－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］系压敏陶瓷熟料制备工艺，其特征在于，包括下述步骤：１）按摩尔百分比取Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｎｉ↓［２］Ｏ↓［３］、ＭｎＣＯ↓［３］、 ＳｉＯ↓［２］、Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｇｄ↓［２］Ｏ↓［３］各为０．３～０．７％，Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］为０．７～１．２％，Ｈ↓［３］ＢＯ↓［３］为０．０５～０．１％，Ａｌ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.９Ｈ↓［２］Ｏ为０．００２～０．００６％，ＺｎＯ为９４～９７％进行称量；２）将除ＺｎＯ、Ａｌ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.９Ｈ↓［２］Ｏ...
【技术特征摘要】
1.一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷熟料制备工艺，其特征在于，包括下述步骤1)按摩尔百分比取Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、MnCO3、SiO2、Ce2O3和Gd2O3各为0.3～0.7％，Sb2O3为0.7～1.2％，H3BO3为0.05～0.1％，Al(NO3)3·9H2O为0.002～0.006％，ZnO为94～97％进行称量；2)将除ZnO、Al(NO3)3·9H2O以外的所有组分混合球磨20小时，于120℃烘干后升温至900℃预烧30分钟；3)预烧后的上述组分经粉碎与ZnO、Al(NO3)3·9H2O混合，加入聚乙烯醇水溶液球磨20小时制成浆料，然后...
【专利技术属性】
技术研发人员：李盛涛，成鹏飞，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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