非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种非Ｂｉ系低压ＺｎＯ压敏陶瓷材料的制造方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。用ＺｎＯ加上从掺杂元素Ａｌ、Ｆｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｔｉ、纳米ＺｎＯ中任选的氧化物粉组成混合原料，将其混合磨细，经干燥，压制成块，６００～７５０℃进行预烧，再放入球磨罐研磨，干燥，过筛后造粒，将粉料压制成小圆片并逐渐加热到６００～７２０℃保温排胶，后进一步加热烧结并冷却到室温，得到低压ＺｎＯ压敏陶瓷材料；再进行表面加工，被电极烧银，经测试后封装，得到低压ＺｎＯ压敏电阻。具有制作工艺简单、成本较低、性能好、使用范围广，所生产电阻重复性、稳定性、一致性好，电参数值有显著改进等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种， 属于电器元件及其材料制造

技术介绍
低压ZnO压敏电阻是八十年代国外率先研究发展起来的。低压 ZnO压敏电阻具有低压敏电压和高介电系数双优特性，耐浪涌能力也很强，更 重要的是其工艺简单，不要在高温下还原烧成，而且烧结温度低，使成本大大 降低，它具有造价低廉、非欧姆特性优良、响应时间快、漏电流小、通流容量 大等优点，广泛应用于电子设备和电力系统以及其它领域。随着电子产品的小 型化、集成化，对低压压敏电阻的需求量愈来愈大，是一种很有发展前途的复 合功能电阻元件。降低压敏电压的一般有两种主要方法， 一是通过改变外型尺寸及工艺方法减 少压敏元件的厚度以达到降低压敏电压的目的；二是寻找低压配方，开发新型 低压ZnO压敏电阻材料体系，降低晶界的击穿电压。近年来，ZnO压敏电阻器 采用了叠层片式技术，可制造非欧姆特性好的低压ZnO压敏电阻器，产品的通 流能力也不会下降，叠片式ZnO压敏电阻综合性能较好，但是对工装设备及工 艺要求极高，投资巨大。国内外做的比较成熟的压敏陶瓷电阻主要是Bi系低压ZnO电阻、高压高能 ZnO电阻等，而非Bi系低压ZnO压敏陶瓷电阻研究的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非Ｂｉ系低压ＺｎＯ压敏陶瓷材料的制造方法，其特征是先用ＺｎＯ加上从一组掺杂元素Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｒ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｍ、Ｖ的氧化物的任意选择一部分以及纳米ＺｎＯ组成混合原料，然后将该原料在球磨罐中，加入水和酒精研磨３～６小时；将球磨后的料浆干燥、过筛，压制成块，６００～７５０℃进行预烧，降温后再放入球磨罐中加水和酒精研磨６～１２小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后，得到均匀分布的混合粉料，再用５０～１５０Ｍｐａ的压力将粉料压制成小圆片；然后将成型的压制片逐渐加热，在６００～７２０℃保温２０～３０分钟，进行排胶，再在９５０～１２５０℃加热烧结并...

【技术特征摘要】
1. 一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，其特征是先用ZnO加上从一组掺杂元素Al、Ti、Fe、Eu、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pr、La、Pb、Ba、Sm、V的氧化物的任意选择一部分以及纳米ZnO组成混合原料，然后将该原料在球磨罐中，加入水和酒精研磨3～6小时；将球磨后的料浆干燥、过筛，压制成块，600～750℃进行预烧，降温后再放入球磨罐中加水和酒精研磨6～12小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后，得到均匀分布的混合粉料，再用50～150Mpa的压力将粉料压制成小圆片；然后将成型的压制片逐渐加热，在600～720℃保温20～30分钟，进行排胶，再在950～1250℃加热烧结并保温1～3小时；最后将烧结好的烧结体冷却到室温，得到非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料。2、 根据权利要1所述的非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，其特 征是混合原料中，釆用Pr、 La、 Pb、 Ba、 Sm、 V的氧化物时掺杂量摩尔 百分比为0.5-6%;釆用其它掺杂氧化物时所占的摩尔百分比为6.5~10%;...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘国友，王立惠，严继康，孙加林，杜景红，陈敬超，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：53[中国|云南]