【技术实现步骤摘要】
一种应用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工艺
[0001]本专利技术涉及硅基材料
，尤其涉及一种应用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工艺。
技术介绍
[0002]以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。
[0003]纳米级的二氧化硅微球因其具有无毒、高化学稳定性、高生物相容性等特点，被广泛用于陶瓷制品、橡胶改性、塑料、涂料、生物细胞分离和医学工程、防晒剂、颜料等领域。其中运用于硅基材料，通过二氧化硅薄膜的高性能满足其光学和介电性能。
[0004]如授权公告号为CN102758200B所公开的一种溶胶凝胶二氧化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、按质量比2.12：0.75：0.43：1称取乙醇、去离子水、甲酰胺和正硅酸四乙酯，将上述组分混合均匀，对设备要求低，通过本方法制备的二氧化硅薄膜不开裂、结构致密、成品率显著提高。
[0005]以上的溶胶凝胶法中镀膜的介电性能不佳，而且通过其制备成型的膜中不具备良好的疏水性，运用于...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：在薄膜生产时，准备洁净基片，镀膜前对基底进行严格的清洗，先把基片浸泡在丙酮溶液中25
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30min,然后利用超声波清洗机将基片进行超声振荡50
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60min，再用工业酒精重复擦洗，最后用低温氮气吹干；S2：在超净室内，将清洗过的基片置入前驱体溶胶中停留28
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32s，在基片的外壁上旋涂，利用洁净氮气辅助旋涂，然后再在旋涂表面使溶胶与基片表面充分接触，以10.00
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10.20cm/min的速度平稳垂直均匀提拉基片；其中S2中的前驱体胶体的制备具体流程如下：S2
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1：以正硅酸乙酯为硅源，先取无水乙醇为溶剂，盐酸为催化剂，按一定比例混合搅拌后室温下静置数小时；S2
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2：再在搅拌混合液中缓慢滴入无水乙醇,以抑制溶液中颗粒的缩聚反应，最后加入一定量的十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)，搅拌使其充分溶解，形成大致成型的前驱体胶体；S2
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3：将成型的前驱体胶体在基底液中预拉伸呈片状，然后在20℃的环境下老化1.5
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2.5d，以备后续镀膜使用；S3：随后将镀好的膜放入密闭容器中，在六甲基二...
【专利技术属性】
技术研发人员：周祥，
申请(专利权)人：徐州金琳光电材料产业研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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