湿法清洗工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种湿法清洗工艺，包括：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；执行SPM清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的有机物和部分金属离子；执行SC1清洗工艺，去除所述衬底的第一表面和第二表面上的微粒及部分金属离子；执行SC2清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的剩余金属离子；执行至少一次臭氧氧化工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的残留微粒；执行HF清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的氧化层。通过在HF清洗工艺前的纯水槽中通入臭氧，所述湿法清洗工艺并未引入其它的杂质或化学液，清洗成本低廉，可以进行大规模推广。可以进行大规模推广。可以进行大规模推广。

【技术实现步骤摘要】
湿法清洗工艺


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种湿法清洗工艺。

技术介绍

[0002]衬底的清洗技术是影响衬底成品良率，器件的品质及可靠性最重要的因素之一。
[0003]清洗的主要目是清除衬底表面的污染，如微粒，有机物及金属离子等杂质。衬底在进入相关工艺前都要保证衬底的清洁程度，所以在相关制程前都需要进行化学清洗，超纯水清洗使衬底表面达到要求的洁净度，使制造出来的半导体器件能够具有设计的电学特性。但是在高阶集成电路制造中，由于衬底表面微粒受大小、环境、制程条件需要导致清洗硅表面微粒是最困难的。
[0004]现有技术中有一种洗涤器（scrubber）清洗，是纯水通过气体加压，让其成为流体水，达到除去微粒玷污。但是在集成电路制造过程中，经常会发现某些微粒沾污很难用以上方法除去，特别是很细小（直径小于0.16um）的微粒玷污。由于现在集成电路制造越来越先进，去除微粒玷污是器件的品质及可靠性最重要的因数之一。且用以上方法都很难去除，所以有用到通过炉管在衬底表面扩散长一层二氧化硅，再通过湿法氢氟酸水溶液(按照制程要求体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法清洗工艺，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；执行SPM清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的有机物和部分金属离子；执行SC1清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的微粒及部分金属离子；执行SC2清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的剩余金属离子；执行至少一次臭氧氧化工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的残留微粒；执行HF清洗工艺，以去除所述衬底的第一表面和第二表面上的氧化层。2.如权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述臭氧氧化工艺采用的臭氧水溶液为在水溶液中通入臭氧，所述臭氧水溶液浓度为1ng/L
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1g/L。3.如权利要求1或2所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述臭氧氧化工艺的工艺时间为10秒
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1200秒。4.如权利要求1或2所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述臭氧氧化工艺的工艺温度为20℃
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐斌，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：