一种晶片的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种晶片清洗方法，包括：将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗。本发明专利技术提供的清洗方法对具体污物针对性强，从脏污去除原理上设计了清洗流程，清洗流程简短，无操作危险。无操作危险。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片的清洗方法


[0001]本专利技术属于晶片
，尤其涉及一种晶片的清洗方法。

技术介绍

[0002]初步加工的晶片表面有较多脏污颗粒，要想实现晶片最大、最有效的利用率，需要将晶片表面的颗粒去除掉。目前晶片的主流清洗工艺是采用湿法清洗，优良的湿法清洗工艺需有效去除晶片表面的各种沾污，同时不对晶片表面产生损伤或严重刻蚀，也不会粘黏各种残留，生产使用简单、安全。
[0003]晶片表面沾污主要为无机物、有机化合物、合金化的污物，晶片表面浅表层还有部分与晶片融为一体的脏污，这部分是晶片表面氧化后嵌入氧化层的脏污。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种晶片的清洗方法，本专利技术提供的晶片清洗方法清洗晶片后颗粒残留量少，表面、浅表层洁净度高。
[0005]本专利技术提供了一种晶片清洗方法，包括：
[0006]将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片清洗方法，包括：将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗；所述SPM清洗的试剂包括：H2SO4和H2O2；所述高浓度SC1清洗和低浓度SC1清洗的试剂包括：NH4OH、H2O2和H2O；所述DHF清洗的试剂包括：HF和H2O；所述SC2清洗的试剂包括：HCl、H2O2和H2O。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DIW清洗的时间为30～60min；流量为0.5～1L/min。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SPM清洗的温度为90～140℃，时间为8～15min。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高浓度SC1清洗的温度为50～75℃，时间为5～15min。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀丽，邹宇，张平，郭钰，
申请(专利权)人：北京天科合达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：