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本发明提供了一种晶片清洗方法，包括：将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗。本发明...
该专利属于北京天科合达半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京天科合达半导体股份有限公司授权不得商用。

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