一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，包括如下步骤：制定喷射清洗顺序：清洗顺序一、的的清洗顺序二、的DHF和0.1～3.0vol％的清洗方式为：仅重复清洗顺序一，仅重复清洗顺序二或者使用清洗顺序一和二的组合方式；利用了有机酸的鳌合效应，确立了单片式清洗机使用有机酸的最佳清洗方法，可以实现硅片表面金属离子“防止再附着”的目的，实现提高抛光硅片的金属水平从1E9至1E8Atoms/cm2。。

【技术实现步骤摘要】
一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法


[0001]本专利技术属于硅片清洗领域，具体涉及一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业对硅衬底片的要求日益严格，为了保证最终元器件的高性能、高稳定性和高质量性，需要最终的硅衬底表面具有极高清洁度。
[0003]硅片的一般生产加工流程为：单晶生长
→
切断
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外径滚磨削
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平边或V型槽处理
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切片
→
边缘轮廓
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研磨
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腐蚀
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化学气相沉积
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抛光
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最终清洗
→
终检
→
包装。最终清洗的效果对硅衬底表面的金属、颗粒以及有机物质量起着决定性作用。而最终清洗中的清洗液对清洗效果至关重要。
[0004]为了满足上述所需，亟待开发绿色友好的硅片清洗液。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种单片式硅片使用有机酸的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、准备喷射清洗液用的喷嘴；步骤二、制定喷射清洗顺序：清洗顺序一、清洗顺序二、和清洗方式为：仅重复清洗顺序一，仅重复清洗顺序二或者使用清洗顺序一和二的组合方式；步骤三、用纯水对旋转中的硅片进行喷雾以去除表面的药液；步骤四、采用N2吹扫并高速旋转硅片使其干燥。2.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：步骤一所述的喷嘴包括用于喷射臭氧水或者DHF的普通喷嘴，以及用于喷射有机酸或者DHF和有机酸混合液的二流体喷嘴。3.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：DHF和有机酸混合液的制备方法：于HF槽中加入适量的49wt％氢氟酸、31wt％柠檬酸和常温去离子水，在配有颗粒滤芯的前提下，内循环数小时，得到0.1～1.0vol％的DHF和...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉原一男，贺贤汉，赵剑锋，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：