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本发明公开了一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，包括如下步骤：制定喷射清洗顺序：清洗顺序一、的的清洗顺序二、的DHF和0.1～3.0vol％的清洗方式为：仅重复清洗顺序一，仅重复清洗顺序二或者使用清洗顺序一和二的组合方式；利用了有机酸的鳌合...
该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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