【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底
[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种生长氮化镓的衬底。
技术介绍
[0002]以氮化镓（GaN）为研究热点的Ⅲ族氮化物半导体具有优异的光电性能和宽广的可调控带隙，其在照明显示、高频高功率电力电子器件、光存储、通讯、能源等领域拥有巨大的优势和应用前景。高性能的半导体器件依赖于高质量的半导体晶元。目前，氮化镓的主要问题是高的位错密度和应力，这大大影响了氮化镓的晶体质量，降低了器件的性能。在传统的氮化镓外延生长过程中，侧向外延技术是一个有效降低位错，改善晶体的方法。近年来，石墨烯等一系列二维材料的出现，为氮化镓的生长制备提供了新的思路。由于石墨烯二维材料表面缺少悬挂键，氮化镓难以在石墨烯表面成核，可以利用石墨烯作为掩膜层侧向外延氮化镓。石墨烯由于厚度极薄，可以有效降低常规掩膜在生长过程中给氮化镓带来的小角度晶界缺陷。
[0003]侧向外延技术自从Shaw等人成功生长了各向异性的砷化镓（GaAs）单晶，并在一定程度上减少了晶体缺陷后，就成为一个有效降低位错的方法(参见[Shaw, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底，包括基底层与石墨烯掩膜层，其特征在于：所述石墨烯掩膜层沉积于基底层上；石墨烯掩膜层刻蚀有光栅状条纹结构，光栅状条纹结构的凹槽部为用于生长氮化镓层的窗口区域，光栅状条纹结构的凸起部为掩膜区域。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯掩膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈王义博，曹冰，徐立跃，李路，杨帆，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：
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