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本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底，包括基底层与石墨烯掩膜层，所述石墨烯掩膜层沉积于基底层上；石墨烯掩膜层刻蚀有光栅状条纹结构，光栅状条纹结构的凹槽部为用于生长氮化镓层的窗口区域，光栅状条纹结构的凸起部为掩膜区域。本实用新型的有...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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