一种光学镀膜用高纯度二氧化硅制备方法技术

本发明专利技术属于二氧化硅技术领域，尤其是一种光学镀膜用高纯度二氧化硅制备方法，针对存在的杂质含量高和纯度不足的问题，现提出以下方案，包括以下步骤，S1，首先将纯化后的原料逐层平布在气相制备反应釜内，通过高纯度氧气通入，采用300

【技术实现步骤摘要】
一种光学镀膜用高纯度二氧化硅制备方法


[0001]本专利技术涉及二氧化硅
，尤其涉及一种光学镀膜用高纯度二氧化硅制备方法。

技术介绍

[0002]镀膜是用物理或化学的方法在材料表面镀上一层透明的电解质膜，或镀一层金属膜，目的是改变材料表面的反射和透射特性。在可见光和红外线波段范围内，大多数金属的反射率都可达到78%
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98%，但不可高于98%。
[0003]“高纯二氧化硅”通常指二氧化硅中含有的金属杂质总量小于十万分之一，单个非金属杂质含量小于十万分之一。其用途主要是作集成电路封装剂的填料和制造高纯石英玻璃的原料。
[0004]如授权公告号为CN112938989A所公开的一种光学镀膜用高纯度二氧化硅及其制备工艺，属于二氧化硅制备
，其制备工艺简单，所制备的二氧化硅纯度高，内部孔径分布均匀，透光率高，折射率低，适用于工业大规模生产。
[0005]如授权公告号为CN105585017B，一种高纯度二氧化硅的工业化生产方法，制备得到的二氧化硅纯度可以达到99.9
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学镀膜用高纯度二氧化硅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：首先将纯化后的原料逐层平布在气相制备反应釜内，通过高纯度氧气通入，采用300
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400W的激光照射平布面，在底侧生成初步SiO2基板；其中原料采用四氯化硅为主要材料，其中四氯化硅的生产制备流程如下，包括以下步骤：S1
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1：利用粗质的四氯化硅通入高浓度氯气，氯气为流动式通入，然后定时通过增压使粗四氯化硅可以吸收氯气达到饱和，此时的粗四氯化硅中含有三氯氢硅；S1
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2：将吸收饱和的粗四氯化硅进行光氯化反应，利用光氯化反应使四氯化硅中的三氯氢硅转化为四氯化硅，然后通入氮气排出多余的氯气，得到气提的四氯化硅；S1
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3：将气提后四氯化硅开始初步精馏，得到精馏处理的四氯化硅；经过初步精馏处理的四氯化硅进行二次精馏处理，两次纯化得到目标的高纯度四氯化硅；S2：然后在S1反应釜中其通入氢氧气流，其气流通过加热形成稳定的高温气流束输入，采用450
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500W旳激光照射平布面，在高温作用下剩余的原料全部形成烟雾状的SiO2的颗粒，持续10
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15min，降温使其颗粒沉积在S1中生成的基板上；S3：在S2反应后反应釜中，通入低温处理的氮气，将其中多余的氢氧气流和生产的氯气等排出，同时对内部的基板表面进行气体保护；S4：在S3中的气体保护时，同时通入有机硅烷浸没其表面，去除其表面的多余的硅氢基；S5：最后利用...

【专利技术属性】
技术研发人员：周祥，
申请(专利权)人：徐州金琳光电材料产业研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：