一种磷化铟晶片的腐蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种磷化铟晶片的腐蚀方法，涉及半导体材料技术领域。本发明专利技术的一种磷化铟晶片的腐蚀方法，所述腐蚀方法将晶片进行预清洗后，进行了两次腐蚀，两次腐蚀分别采用一次腐蚀液和二次腐蚀液对晶片进行腐蚀处理，所述一次腐蚀液的原料包括双氧水、硫酸、柠檬酸、冰醋酸。本发明专利技术公开了一种磷化铟晶片的腐蚀方法，能够对晶片本体进行腐蚀，即使对晶片发生触碰也不需要重新进行研磨，且在进行腐蚀的过程中，不需要降温设备，能够在常温下直接对晶片进行腐蚀。片进行腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟晶片的腐蚀方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，尤其涉及一种磷化铟晶片的腐蚀方法。

技术介绍

[0002]磷化铟是一种重要的半导体材料，在5G通信时代，磷化铟材料的性能相较于其它的半导体材料更好，拥有广阔的发展前景。磷化铟晶片由晶棒加工而成，在切割晶棒的过程中，线锯对于晶圆表面具有损害性，晶片切割之后，晶片的厚度需要进行研磨工艺处理，将晶片的厚度研磨至所需要的晶片厚度，晶片进行研磨后需要对表面进行腐蚀处理，保持增加晶片表面的光洁度与平整度。
[0003]而现有的磷化铟晶片的腐蚀方法，在腐蚀的过程中通常是采用硫酸、盐酸等作为腐蚀液，在腐蚀过程中晶片和腐蚀液之间反应剧烈，且大多仅能对晶片表面进行腐蚀，腐蚀过程中升温迅速，甚至会导致腐蚀液沸腾从而失去效果，因此必须使用降温冷却系统对腐蚀液的温度进行控制，且传统的腐蚀方法由于不能对晶片本体进行腐蚀，在腐蚀的过程中必须严格控制对晶片表面的接触，如果发生触碰，必须将晶片进行重新研磨之后再进行一次腐蚀操作，费时费力。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法将晶片进行预清洗后，进行了两次腐蚀，两次腐蚀分别采用一次腐蚀液和二次腐蚀液对晶片进行腐蚀处理，所述一次腐蚀液的原料包括双氧水、硫酸、柠檬酸、冰醋酸。2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述一次腐蚀液包括以下体积百分比的组分：70％
‑
77％双氧水、5％
‑
10％硫酸、3％
‑
20％柠檬酸、5％
‑
10％冰醋酸。3.根据权利要求2所述的一种磷化铟晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述一次腐蚀液包括第一腐蚀液和第二腐蚀液，所述第一腐蚀液中硫酸的体积百分比为8％
‑
10％，第二腐蚀液中硫酸的体积百分比为5
‑
7％。4.根据权利要求3所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，利用所述一次腐蚀液对晶片进行腐蚀处理的具体操作为：将晶片浸没于第一腐蚀液中，顺时针旋转晶片90
°
后，逆时针旋转45
°
，循环重复30s后将晶片取出于第二腐蚀液中浸泡30
‑
60s。5.根据权利要求4所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述二次腐蚀液包括以下体积百分比的组分：5％
‑
10％硫酸、70％
‑
85％双氧水、10％
‑
20％浓盐酸。6.根据权利要求1
‑
4任一权利要求所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法具体包括以下步骤：预清洗：将研磨后的晶片用水枪冲洗完成后，先后经过酒精浸泡、金属清洗剂清洗；一次腐蚀液腐蚀：按照配方分别配制好第一腐蚀液和第二腐蚀液，将预清洗完成的晶片浸没于第一腐蚀液中，顺时针旋转晶片90
°
后，逆时针...

【专利技术属性】
技术研发人员：周一，毕洪伟，彭杰，
申请(专利权)人：威科赛乐微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：