一种湿法清洗工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种湿法清洗工艺，包括：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；执行臭氧氧化工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的有机物；执行SC1清洗工艺，去除所述衬底的第一表面和第二表面上的微粒及部分金属离子；执行SC2清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的剩余金属离子；执行HF清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的氧化层。采用臭氧氧化工艺的湿法清洗工艺可以达到极佳的清洗效果，并且整个过程中采用了常规的臭氧去除有机物外，并未引入其它的杂质或化学液，清洗成本低廉，可以进行大规模推广。可以进行大规模推广。可以进行大规模推广。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法清洗工艺


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种湿法清洗工艺。

技术介绍

[0002]衬底的清洗技术是影响衬底成品良率，器件的品质及可靠性最重要的因素之一。
[0003]清洗的主要目是清除衬底表面的污染,如微粒,有机物及金属离子等杂质。衬底在进入相关工艺前都要保证衬底的清洁程度，所以在相关制程前都需要进行化学清洗，超纯水清洗使衬底表面达到要求的洁净度，使制造出来的半导体器件能够具有设计的电学特性。
[0004]现有技术中有一种洗涤器（scrubber）清洗，是纯水通过气体加压，让其成为流体水，达到除去微粒玷污。但是在集成电路制造过程中，经常会发现某些微粒沾污很难用以上方法除去，特别是很细小（直径小于0.16um）的微粒玷污。由于现在集成电路制造越来越先进，去除微粒玷污是器件的品质及可靠性最重要的因数之一。且用以上方法都很难去除，所以有用到通过炉管在衬底表面扩散长一层二氧化硅，再通过湿法氢氟酸水溶液(按照制程要求体积比)清洗掉表面的二氧化硅膜，从而把衬底表面的微粒去除，这样的制程它不仅浪费炉管产能,还有某些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法清洗工艺，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；执行臭氧氧化工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的有机物；执行SC1清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的微粒及部分金属离子；执行SC2清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的剩余金属离子；执行HF清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的氧化层。2.如权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述臭氧氧化工艺的臭氧水溶液浓度为1ng/L
‑
1g/L。3.如权利要求1或2所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述臭氧氧化工艺的工艺时间为10秒
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1200秒。4.如权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述臭氧氧化工艺的工艺温度为20℃
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27℃。5.如权利要求1或4所述的湿法清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐斌，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：