放射状多支链聚合物及使用该聚合物的多孔膜制造技术

本发明专利技术涉及一种新的放射状多支链聚合物。该放射状多支链聚合物包括侧链在至少三个位置键合到其上的中心分子并且具有５００～１００，０００的平均分子量，所述的侧链选自包括聚氧化烯、聚丙烯酸酯、聚酯、聚酰胺及其衍生物的组。该放射状多支链聚合物用于制备低介电绝缘膜，从而提供具有易于控制的微孔的低介电绝缘膜。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种新的放射状多支链聚合物，并且具体地涉及一种包括中心分子(A)、在至少三个位置键合到中心分子(A)上的侧链(B)且具有500～100,000之间的平均分子量的放射状多支链聚合物。更具体地，本专利技术涉及由下面通式(I)表示并具有聚氧化烯(polyalkyleneoxide)、聚丙烯酸酯、聚酯、聚酰胺或其衍生物作为侧链的放射状多支链成孔剂(porogen)Abi (I)其中，中心分子(A)选自包括 的组，其中X为H或CH3；侧链(B)为-R或 其中R为选自包括下面R1～R4的组；R1为选自包括(OCH2CH2)nOZ、(OCH2CHCH3)nOZ、(OCHCH3CH2)nOZ、(OCH2CH2)n(OCH2CHCH3)m(OCH2CH2)kOZ、(OCH2CH2)n(OCHCH3CH2)m(OCH2CH2)kOZ、(OCH2CHCH3)n(OCH2CH2)m(OCH2CHCH3)kOZ、(OCHCH3CH2)n(OCH2CH2)m(OCHCH3CH2)kOZ、(OCH2CHCH3)n(OCH2CH2)m(OCHCH3CH2)kOZ和(OCHCH3CH2)n(OCH本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由通式（Ⅰ）表示的放射状多支链聚合物，包括中心分子（Ａ），侧链（Ｂ）在至少三个位置键合到中心分子（Ａ）上（ｉ≥３）：Ａｂｉ（Ⅰ）其中，中心分子（Ａ）选自包括＊＊＊的组；其中Ｘ为Ｈ或ＣＨ↓［３］ ；侧链（Ｂ）为－Ｒ或＊＊＊，其中Ｒ为选自包括下面Ｒ↓［１］～Ｒ↓［４］的组；Ｒ↓［１］为选自包括（ＯＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］ＯＺ、（ＯＣＨ↓［２］ＣＨＣＨ↓［３］）↓［ｎ］ＯＺ、（ＯＣＨＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］Ｏ Ｚ、（ＯＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］（ＯＣＨ↓［２］ＣＨＣＨ↓...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2003-10-9 10-2003-00703761.一种由通式(I)表示的放射状多支链聚合物，包括中心分子(A)，侧链(B)在至少三个位置键合到中心分子(A)上(i≥3)Abi (I)其中，中心分子(A)选自包括 的组；其中X为H或CH3；侧链(B)为-R或 其中R为选自包括下面R1～R4的组；R1为选自包括(OCH2CH2)nOZ、(OCH2CHCH3)nOZ、(OCHCH3CH2)nOZ、(OCH2CH2)n(OCH2CHCH3)m(OCH2CH2)kOZ、(OCH2CH2)n(OCHCH3CH2)m(OCH2CH2)kOZ、(OCH2CHCH3)n(OCH2CH2)m(OCH2CHCH3)kOZ、(OCHCH3CH2)n(OCH2CH2)m(OCHCH3CH2)kOZ、(OCH2CHCH3)n(OCH2CH2)m(OCHCH3CH2)kOZ和(OCHCH3CH2)n(OCH2CH2)m(OCH2CHCH3)kOZ的组；R2为OCOC(CH3)2(CH2CQ(CO2Z))nW；R3为(O(CH2)nCO)mOZ；R4为(NH(CH2)nCO)mNZ2；其中n、m和k各表示0和200之间的整数；Q为选自包括H、CH3、CH2CH3、CH2CH2OH和CH2CH2NH2的组；W选自Br、I和H；Z为选自包括H、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基、环戊基、己基、环己基、乙烯基(-CH＝CH2)、-CCH、炔丙基、烯丙基、苄基、乙酰基(COCH3)、丙酰基、异丁酰基、新戊酰基、CH2CH2CH2Si(OMe)3、CH2CH2CH2Si(OEt)3、CH2CH2CH2SiMe(OMe)2、CH2CH2CH2SiMe(OEt)2、CH2CH2CH2Si(OMe)Me2、CH2CH2CH2Si(OEt)Me2、CH2CH2OH和CH2CH2NH2；Y为中心分子和侧链之间的连接基团，其中Y为选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宰昊，姜贵权，高敏镇，姜晶元，文明善，金秉鲁，崔范圭，姜旲昊，孙祯晚，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]