半导体结构制造设备制造技术

本公开实施例公开了一种半导体结构制造设备，包括：装载腔室，包括：容置腔，用于暂存承载体；其中，所述承载体用于承载目标物；进气孔，设置在所述装载腔室的腔体上，用于向所述容置腔内输送第一气体或第二气体；其中，所述第一气体能与氧气发生化学反应，所述第二气体用于加热所述容置腔内的目标物质以形成第三气体，所述目标物质能与氧气发生化学反应；第一出气孔，设置在所述装载腔室的腔体上，用于所述容置腔向外排出所述第一气体或所述第三气体；氧气检测装置，通过所述装载腔室的腔体上的第二出气孔与所述容置腔连通，用于检测所述容置腔的氧气浓度；供气箱，与所述容置腔连通，用于提供所述第一气体或所述第二气体。用于提供所述第一气体或所述第二气体。用于提供所述第一气体或所述第二气体。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构制造设备


[0001]本公开实施例涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体结构制造设备。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造中，尤其是金属制程，设备内的氧气浓度是一个非常关键的考量因素，因为氧气的存在会使金属发生氧化，例如制程中金属铝被氧气氧化，会大大的降低金属的导电性能，因而会影响半导体结构的电性能。
[0003]因此，金属制程中对设备内氧气浓度侦测非常重要。然而，在实际生产中，很多因素会干扰对设备内氧气浓度的检测，降低了对于氧气浓度检测的准确性。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构制造设备。
[0005]根据本公开实施例，提供一种半导体结构制造设备，包括：
[0006]装载腔室，包括：
[0007]容置腔，用于暂存承载体；其中，所述承载体用于承载目标物；
[0008]进气孔，设置在所述装载腔室的腔体上，用于向所述容置腔内输送第一气体或第二气体；其中，所述第一气体能与氧气发生化学反应，所述第二气体用于加热所述容置腔内的目标物质以形成第三气体，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构制造设备，其特征在于，包括：装载腔室，包括：容置腔，用于暂存承载体；其中，所述承载体用于承载目标物；进气孔，设置在所述装载腔室的腔体上，用于向所述容置腔内输送第一气体或第二气体；其中，所述第一气体能与氧气发生化学反应，所述第二气体用于加热所述容置腔内的目标物质以形成第三气体，所述目标物质能与氧气发生化学反应；第一出气孔，设置在所述装载腔室的腔体上，用于所述容置腔向外排出所述第一气体或所述第三气体；氧气检测装置，通过所述装载腔室的腔体上的第二出气孔与所述容置腔连通，用于检测所述容置腔的氧气浓度；供气箱，与所述容置腔连通，用于提供所述第一气体或所述第二气体。2.根据权利要求1所述的半导体结构制造设备，其特征在于，所述第一气体和所述第三气体包括：气体异丙醇；所述第二气体包括：氮气或者惰性气体；所述目标物质包括：液态异丙醇。3.根据权利要求1所述的半导体结构制造设备，其特征在于，所述半导体结构制造设备还包括：气流驱动装置，通过所述第一出气孔与所述容置腔连通，以供所述容置腔向外排出所述第一气体或所述第三气体。4.根据权利要求1所述的半导体结构制造设备，其特征在于，所述半导体结构制造设备还包括：受控阀门，位于所述第一气体或所述第二气体流通的气流通路上，用于导通或断开所述气流通路；进气管，用于连通所述供气箱与所述进气孔。5.根据权利要求4所述的半导体结构制造设备，其特征在于，所述受控阀门，位于所述进气管与所述进气孔的连接处；或者，所述受控阀门，位于所述进气管与所述供气箱的连接处。6.根据权利要求4所述的半导体结构制造设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亭亭，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：