集成式LED发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及固态半导体照明技术领域，提供一种集成式LED发光器件，包括合成基板、若干芯片、封装层、正极链接端子和负极链接端子。合成基板包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，第三基板具有第一开口，第四基板具有第二开口。若干个芯片间隔设置在第三基板上，且位于第二开口内。封装层包覆若干个芯片。正极链接端子电性连接于若干个芯片的正极；负极链接端子电性连接于若干个芯片的负极。借此，可实现一体式全自动化作业，可以简化制程，节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
集成式LED发光器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及固态半导体照明
，特别涉及一种集成式LED发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]LED光源具有节能、耐用、无污染等优点，目前已经广泛用于照明、显示和背光源等领域，作为具有明确优势的下一代照明方式引起了广泛重视。基于LED的长寿命、高效率、光线利用率高等特点，LED照明已经在日常照明中得到广泛应用。但是使用过程中也遇到很多技术上的问题，于是很多人也对LED在封装方式上做了很多研究改进，
[0003]目前，LED照明光源是以几个工序作业的工艺和方法相互搭配进行封装，待完成封装后，还需要送到下游的照明、背光等厂商进行贴片作业，贴片完成后再进行装配。整个制程过于繁琐，且耗费大量的人力、物力，成本较高。此外，现有的作业方式还存在可靠性、安全性等方面的问题。
[0004]那么，如何在各种不同的情况下，将资源合理整合使用，设计出完善的集成式LED发光器件的制备流程是本领域技术人员亟待解决的技术难题。
[0005]因此，本专利技术的主要目的在于提供一种集成式LED发光器件及其制备方法，以解决上述问题。

技术实现思路

[0006]为解决上述现有技术中制备流程繁琐、成本等问题，本专利技术提供一种集成式LED发光器件及其制备方法，实现一体式全自动化作业，可以简化制程，节约成本。
[0007]本专利技术提供的一种集成式LED发光器件，包括合成基板、若干芯片、封装层、正极链接端子和负极链接端子。
[0008]合成基板包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，第三基板具有第一开口，第四基板具有第二开口。若干个芯片间隔设置在第三基板上，且位于第二开口内。封装层包覆若干个芯片。正极链接端子，电性连接于若干个芯片的正极。负极链接端子，电性连接于若干个芯片的负极。
[0009]在一实施例中，所述第一基板是玻璃基板，所述第二基板是反光基板，所述第三基板是金属基板，并包括正极金属基板与负极金属基板，所述正极金属基板与所述负极金属基板之间形成所述第一开口，所述芯片的正极电性连接所述正极金属基板，所述芯片的负极电性连接所述负极金属基板，所述第四基板是保护基板。
[0010]在一实施例中，所述第一基板的尺寸范围是1cm*1cm
‑
40cm*40cm，所述第二基板的厚度范围是10μm
‑
200μm，所述第三基板的厚度范围是10μm
‑
100μm，所述第四基板的厚度范围是10μm
‑
100μm。
[0011]在一实施例中，所述若干个芯片间的间距范围是30μm
‑
5cm，各所述芯片的正极与负极的间距范围是10μm
‑
1mm。
[0012]在一实施例中，所述封装层的成型角度范围是15
°‑
170
°
，所述封装层的厚度高于所述芯片40μm
‑
10mm。
[0013]在一实施例中，所述第一开口的宽度大于30μm。
[0014]在一实施例中，所述集成式LED发光器件还包括结合层，设置于所述芯片与所述第三基板之间。
[0015]在一实施例中，所述结合层的厚度范围是1μm
‑
10μm。
[0016]本专利技术还提供一种集成式LED发光器件的制备方法，包括下列步骤：提供一合成基板，所述合成基板包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，所述第三基板具有第一开口，所述第四基板具有第二开口；将结合层固定在所述第三基板上，所述结合层并位于所述第二开口内；将若干个芯片固定在结合层上；将正极链接端子与所述若干个芯片的正极电性连接；将负极链接端子与所述若干个芯片的负极电性连接；对若干个芯片进行点胶封装处理。
[0017]基于上述，与现有技术相比，本专利技术提供的一种集成式LED发光器件及其制备方法，实现一体式全自动化作业，可以简化制程，节约成本。
[0018]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0020]图1是本专利技术集成式LED发光器件的制备方法的流程示意图；
[0021]图2是本专利技术集成式LED发光器件的制备方法的生产线示意图；
[0022]图3是本专利技术集成式LED发光器件的结构示意图；以及
[0023]图4是本专利技术集成式LED发光器件带支撑板的结构示意图。
[0024]附图标记：
[0025]10集成式LED发光器件
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12合成基板
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121第一基板
[0026]122第二基板
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123第三基板
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124第四基板
[0027]125第一开口
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126第二开口
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14芯片
[0028]16封装层
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18正极链接端子
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20负极链接端子
[0029]21IC端子
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22结合层
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24安装孔
[0030]26支撑板
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50涂刷设备
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60固晶设备
[0031]70高温回流焊设备
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80固定设备
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90低温回流焊设备
[0032]100点胶设备
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D1安装孔的直径
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W1支撑板的宽度
[0033]α封装层的成型角度
具体实施方式
[0034]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本专利技术不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成式LED发光器件，其特征在于，所述集成式LED发光器件包括：合成基板，包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，所述第三基板具有第一开口，所述第四基板具有第二开口；若干个芯片，间隔设置在所述第三基板上，且位于所述第二开口内；封装层，包覆所述若干个芯片；正极链接端子，电性连接于所述若干个芯片的正极；以及负极链接端子，电性连接于所述若干个芯片的负极。2.根据权利要求1所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述第一基板是玻璃基板，所述第二基板是反光基板，所述第三基板是金属基板，所述第四基板是保护基板。3.根据权利要求2所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述第三基板包括正极金属基板与负极金属基板，所述正极金属基板与所述负极金属基板之间形成所述第一开口，所述芯片的正极电性连接所述正极金属基板，所述芯片的负极电性连接所述负极金属基板。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述第一基板的尺寸范围是1cm*1cm
‑
40cm*40cm，所述第二基板的厚度范围是10μm
‑
200μm，所述第三基板的厚度范围是10μm
‑
100μm，所述第四基板的厚度范围是10μm
‑
100μm。5.根据权利要求1所述的集成式L...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉元，杨皓宇，洪国展，陈锦庆，万喜红，李昇哲，雷玉厚，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：