高介电性能聚芳醚酮/金属酞菁复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术的高介电性能聚芳醚酮／金属酞菁复合材料及其制备方法属于高分子介电材料的技术领域。材料的组成成分有磺化聚芳醚酮，和铜酞菁齐聚物，二者的重量份数比为９５～４０∶５～６０。制备方法是，以磺化聚芳醚酮为基体原料，铜酞菁齐聚物为填充材料，将磺化聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物分别溶于二甲亚砜或Ｎ－甲基吡咯烷酮，再将它们混合继续搅拌８～１２小时；然后将混合溶液浇铸成模，在６０～８０℃烘干，再在１１０～１３０℃真空条件下烘１６～３６小时。本发明专利技术的材料具有优异的介电性质；能够解决现有技术的介质损耗高及由于填充量过高加工性能下降等问题；而且磺化聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物之间有更好的相容性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高分子介电材料及其制备的
，特别涉及具有高介电性能 的聚芳醚酮/金属酞菁复合材料及其制备。技术背景从1959年集成电路的专利技术到现在，半导体工业的集成电路的集成度以每年 25% 30%的速度增长。这样的增长速率可以用摩尔定律来描述,即每平方厘米的 硅基半导体集成电路的晶体管数量每十二个月翻一番。在70年代和80年代, 实际翻番需要的时间接近18个月，在近几年这个时间已经为12个月了。目前, 最先进的集成电路加工厂生产的集成电路的特征尺寸已经为180nm，甚至更低。 根据1999年半导体工业协会(Semiconductor Industry Association, SIA)更新的 国际半导体的发展规划ductor Industry A ssociation SIA导体工艺的发展规划 (International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS)， 为了维持现有的 半导体发展的速度，必须进一步发展半导体工业的器件模型、工艺等制约因素。在半导体工业中，存储器和逻辑器件是其最重要的组成部分，而介电材料在 这两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高介电性能聚芳醚酮／金属酞菁复合材料，组成成分有聚芳醚酮，其特征在于，组成成分还有铜酞菁齐聚物，聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物的重量份数比为９５～４０∶５～６０。

【技术特征摘要】
1、一种高介电性能聚芳醚酮/金属酞菁复合材料，组成成分有聚芳醚酮，其特征在于，组成成分还有铜酞菁齐聚物，聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物的重量份数比为95～40∶5～60。2、 按照权利要求1所述的高介电性能聚芳醚酮/金属酞菁复合材料，其特征 在于，聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物的重量份数比为75 60:25 40。3、按照权利要求l或2所述的高介电性能聚芳醚酮/金属酞菁复合材料，其 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云鹤，姜振华，刘晓，王贵宾，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]