电源切换电路制造技术

本发明专利技术“电源切换电路”提供不进行双极动作的电源切换电路。其中：由于耗尽型ＮＭＯＳ晶体管（１５～１６）是ＮＭＯＳ晶体管，即使耗尽型ＮＭＯＳ晶体管（１５～１６）的源极电压成为电源电压ＶＰＰ１，耗尽型ＮＭＯＳ晶体管（１５～１６）也不进行双极动作。由于耗尽型ＮＭＯＳ晶体管（１６）是ＮＭＯＳ晶体管，即使耗尽型ＮＭＯＳ晶体管（１６）的源极电压成为电源电压ＶＰＰ２，耗尽型ＮＭＯＳ晶体管（１６）也不进行双极动作。即使增强型ＰＭＯＳ晶体管（１４）的栅极电压及源极电压成为电源电压ＶＰＰ１，漏极电压成为电源电压ＶＰＰ２，由于增强型ＰＭＯＳ晶体管（１４）的栅极电压及源极电压比漏极电压高，增强型ＰＭＯＳ晶体管（１４）也不进行双极动作。

【技术实现步骤摘要】

下面，就传统的电源切换电路进行说明。图2是传统的电源切换电 路的电路图。 传统的电源切换电路设有增强型PMOS(P沟道金属氧化物)晶体 管21;增强型PMOS晶体管23;耗尽型NMOS(N沟道金属氧化物) 晶体管22;以及耗尽型NMOS晶体管24。传统的电源切换电路在增强型PMOS型晶体管23的栅极上加接地 电压VSS，增强型PMOS晶体管23导通。在耗尽型NMOS晶体管24 的栅极上加电源电压V2以上的电压，耗尽型NMOS晶体管24导通。 因而，电源电压V2作为电源电压VOUT被输出。这时，在耗尽型NMOS 晶体管22的栅极上加接地电压VSS，耗尽型NMOS晶体管22截止(例 如参照专利文献l)。特开平6-290593号公报(图1)
技术实现思路
对于上述结构的传统的电源切换电路，电源电压VI比电源电压 V2高时，有从耗尽型NMOS晶体管22的漏极向源极流过漏电流的可 能性。由于该漏电流，在增强型PMOS晶体管21的阱(背栅极)上流过 电流，增强型PMOS晶体管21有将沟作为基极，将衬底作为发射极， 将源极作为集电极进行双极动作的可能性。本专利技术鉴于上述的课题构思而成，提供不进行双极动作的电源切换 电路。 为了解决上述课题，本专利技术提供的电源切换电路之特征在于，设有 增强型PMOS晶体管和耗尽型NMOS晶体管，在对非易失性存储器的 存储单元进行数据的读出及写入时，在切换输出的电源电压的电源切 换电路的增强型PMOS晶体管中，将基于第一输入电压的电压输入栅 极，将在多个电源电压中的最高电压即第一电源电压输入源极，漏极 设置在输出端子上，将上述第一电源电压输入背栅极；而在耗尽型 NMOS晶体管中，将基于第二输入电压的电压输入栅极，源极设置在 输出端子上，将比上述第一电源电压低的电压即第二电源电压输入漏 极，将接地电压输入背栅极。图l是表示电源切换电路的电路图。 图2是表示传统的电源切换电路的电路图。 [标记说明] 11 13 LS电路14 增强型PMOS晶体管15-16肆毛尽型NMOS晶体管具体实施方式 下面，参照附图说明本专利技术的实施例。 首先，在对EEPROM等的非易失性存储器的存储单元进行数据的 读出及写入时，对于切换输出的电源电压的电源切换电路，就其电路 的结构进行说明。图1是表示电源切换电路的电路图。6输入电压VIN1在LS电路11的输入端子上输入，其输出端子连接 在增强型PMOS晶体管14的栅极上，LS电路11 ^皮供给电源电压VPPl 及接地电压VSS。输入电压VIN2在LS电路12的输入端子上输入， 其输出端子连接在耗尽型NMOS晶体管15的栅极上，LS电路12被 供给电源电压VPP1及接地电压VSS。输入电压VIN3在LS电路13 的输入端子上输入，其输出端子连接在耗尽型NMOS晶体管16的栅 极上，LS电路13被供给电源电压VPPl及接地电压VSS。增强型PMOS 晶体管14的栅极上输入基于输入电压VIN1的电压，在源极及背栅极 上输入电源电压VPPl,其漏极设置在输出端子上并输出电源电压 VOUT。耗尽型NMOS晶体管15在栅极上输入基于输入电压VIN2的 电压，源极设置在输出端子上并输出电源电压VOUT,漏极上输入电 源电压VPP2，背栅极上输入接地电压VSS。耗尽型NMOS晶体管16 的栅极上输入基于输入电压VIN3的电压，源极设置在输出端子上并 输出电源电压VOUT，在漏极上输入电源电压VPP3，背栅极上输入接 地电压VSS。下面，就电源切换电路的动作进行说明。 输入电压VIN1 VIN3分别构成低电平信号，分别经由LS电路 11 13输入至增强型PMOS晶体管14、耗尽型NMOS晶体管15及耗 尽型NMOS晶体管16。这时，低电平信号是接地电压VSS。于是， 增强型PMOS晶体管14导通，耗尽型NMOS晶体管15~16截止。因 而，电源电压VPP1作为电源电压VOUT输出。这样，由于耗尽型NMOS晶体管15 16是NMOS晶体管，即使耗 尽型NMOS晶体管15 16的源极电压成为电源电压VPPl,耗尽型 NMOS晶体管15 16也不会双极动作。另夕卜，由于增强型PMOS晶体管14是PMOS晶体管，增强型PMOS 晶体管14的栅极电压成为接地电压VSS，增强型PMOS晶体管14导 通，即使增强型PMOS晶体管14的源极电压和漏极电压构成为大致 相等，也可以确保增强型PMOS晶体管14的栅.源极间电压。因而， 在增强型PMOS晶体管14的源极和漏极之间几乎不发生电压降，电 源电压VPP1以几乎没有电压降作为电源电压VOUT一皮输出。因而， 达到减小功耗的目的。另外，耗尽型NMOS晶体管15 16的栅极电压是接地电压VSS， 由于耗尽型NMOS晶体管15 16的源极或漏极是电源电压 VPP1 VPP3中的任意一个，耗尽型NMOS晶体管15 16的栅'源极间 电压构成为耗尽型NMOS晶体管15 16完全截止那样的负电压，因此， 耗尽型NMOS晶体管15 16完全截止。因而，在耗尽型NMOS晶体 管15 16上完全不流过漏电流。输入电压VIN1 VIN3分别为高电平信号、高电平信号和低电平信 号，各经由LS电路ll 13分别输入增强型PMOS晶体管14、耗尽型 NMOS晶体管15和耗尽型NMOS晶体管16。这时，低电平信号是接 地电压VSS，构成高电平信号的输入电压VIN1 VIN2被电平移动至电 源电压VPP1。于是，增强型PMOS晶体管14截止，耗尽型NMOS 晶体管15导通，耗尽型NMOS晶体管16截止。因而，电源电压VPP2 作为电源电压VOUT输出。这样，由于耗尽型NMOS晶体管16是NMOS晶体管，即使耗尽 型NMOS晶体管16的源极电压成为电源电压VPP2,耗尽型NMOS 晶体管16也不会双极动作。另外，即使增强型PMOS晶体管14的栅8极电压及源极电压成为电源电压VPP1,漏极电压成为电源电压VPP2, 由于增强型PMOS型晶体管14的栅极电压及源极电压比漏极电压更 高，增强型PMOS晶体管14也不会双极动作。 另外，由于晶体管无双极动作，增强型PMOS晶体管14的尺寸变 小。并且，PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的空间变小。还有，用 以稳定增强型PMOS晶体管14的阱电压的保护环减少。因而，可使 用面积、减小。再者，输入电压VIN1 VIN3由LS电路11 13分别电平移动至电源电压VPP1。但是，输入电压VIN1 VIN3也可分别在增强型PMOS 晶体管14及耗尽型NMOS晶体管15 16导通时，分别邱皮电平移动至 与各自的晶体管源极电压与漏极电压大致相等的电压上。具体地说，NMOS晶体管15的阈值电压后的电压以上的电压，电平移动后的输入 电压VIN3也可以是在电源电压VPP3上增加耗尽型NMOS晶体管16 的阈值电压后的电压以上的电压。 另外，如果输入电压VIN2更改为输入电压VIN3， LS电路12就 更改为LS电路13,电源电压VPP2就更改为电源电压VPP3，耗尽型 NMOS晶体管15被更改为耗尽型NMOS晶体管16，则电源电压VOUT 切换至电源电压VPP2时的说明就成为电源电压VOUT切换至电源电 压VPP3时的i兌明。另外，以上使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切换在非易失性存储器内部使用的多个电源电压并输出到电源电压输出端子的电源切换电路，其特征在于设有：　被输入所述多个电源电压中的最高电压即第一电源电压的第一电源电压输入端子；　被输入比所述第一电源电压低的电压即第二电源电压的第 二电源电压输入端子；　设于所述第一电源电压输入端子与所述电源电压输出端子之间、其背栅极连接在所述第一电源电压上的增强型ＰＭＯＳ晶体管；　设于所述第二电源电压输入端子与所述电源电压输出端子之间、其背栅极连接在ＶＳＳ上的耗尽型ＮＭＯ Ｓ晶体管；　将控制所述增强型ＰＭＯＳ晶体管的栅极的第一控制信号的振幅变换成第一电源电压－ＶＳＳ的第一电平移动电路；以及　将控制所述耗尽型ＮＭＯＳ晶体管的栅极的第二控制信号的振幅变换成第一电源电压－ＶＳＳ的第二电平移动电路。

【技术特征摘要】
JP 2007-12-6 2007-3154611. 一种切换在非易失性存储器内部使用的多个电源电压并输出到电源电压输出端子的电源切换电路，其特征在于设有被输入所述多个电源电压中的最高电压即第一电源电压的第一电源电压输入端子；被输入比所述第一电源电压低的电压即第二电源电压的第二电源电压输入端子；设于所述第一电源电压输入端子与所述电源电压输出端子之间、其背栅极连接在所述第一电源电压上的增强型PMOS晶体管；设于所述第二电源电压输入端子与所述电源电压输出端子之间、其背栅极连接在VSS上的耗尽型NMOS晶体管；将控制所述增强型PMOS晶体管的栅极的第一控制信号的振幅变换成第一电源电压-VSS的第一电平移动电路；以及将控制所述耗尽型NMOS晶体管的栅极的第二控制信号的振幅变换成第一电源电压-VSS的第二电平移动电路。2. —种切...

【专利技术属性】
技术研发人员：武田尚久，宇都宫文靖，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]