一种静态存储器芯片掉电保护装置制造方法及图纸

技术编号:3088266 阅读:258 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术是CMOS器件驱动的SRAM芯片掉电保护装置,在包括有备份电池、电源转换电路以及被保护的SRAM和驱动SRAM芯片CS片选信号端的CMOS器件中加入CS上拉电阻和CS端与其前端CMOS驱动器件某输出脚Yx之间的断通控制电路。当CMOS芯片输出端直接驱动SRAM时,利用该保护装置可在有效保存SRAM中数据的同时,使备份电池功耗极小,该掉电保护装置适用于对体积、功耗要求严格的便携式计算机、通信及其他领域的超小型电子设备中。(*该技术在2001年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种用于对体积、功能要求严格的便携计算机、通讯机及超小型电子设备中,专为由CMOS器件(例如74HC139)驱动的静态存储器即SRAM提供可靠掉电保护,同时极大地降低备份电池功耗的掉电保护装置。在现有的计算机通信及其他领域的小型电子设备中,为了保护存储在SRAM中的数据不致于在系统不工作(掉电)状态下丢失。可利用机内备份电池和其他一些器件为SRAM提供掉电支持和保护功能。于此同时,对备份电池工作时SRAM的片选信号端CS的状态也有一定的要求。在一般系统中,SRAM的CS端通常由TTL器件(如译码器等)的输出端直接驱动。但是如果在一个对功耗和体积都要求很高的便携式超小型电子仪器中,大量芯片都采用CMOS器件,此刻如果用一个CMOS器件(例如74HC139)来直接驱动一片SRAM,则在SRAM处于掉电保护状态时,SRAM片选端CS的状态对是否能够保证SRAM芯片此刻处于低功耗状态有很大影响。以32K字节D43256S RAM芯片为例,其CS端为低电平有效,如果其直接与74HC139某输出端Yx相连,则在掉电保护状态下备份电池的功耗很大,约0.9mA,故一片3V钮扣电池的工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括有备份电池(1),电源转换电路(2),静态RAM(SRAM)U↓[1](3)和CMOS驱动器件U↓[2](4),由CMOS器件驱动的SRAM掉电保护装置,其特征是U↓[1]的片选CS端和U↓[2]的某一输出端Yx分别与一CS上拉电阻R↓[L](5)和CS与Yx之间的开关电路(6)相连接,其连接关系是:U↓[1]的CS端分别与CS端上拉电阻R↓[1](5)的一端及CS与Yx间开关电路(6)中晶体管T的集电极c端相连,CS上拉电阻RL的另一端与U↓[1]的电源端V↓[dd]相连,同时U↓[2]的输出端Yx与CS与Yx间开关电路(6)中晶体管T的发射极e端相连接,晶体管T的基极b与其基极电阻...

【技术特征摘要】
1.一种包括有备份电池(1),电源转换电路(2),静态RAM(SRAM)U1(3)和CMOS驱动器件U2(4),由CMOS器件驱动的SRAM掉电保护装置,其特征是U1的片选CS端和U2的某一输出端Yx分别与一CS上拉电阻RL(5)和CS与Yx之间的开关电路(6)相连接,其连接关系是U1的CS端分别与CS端上拉电阻R1(5)的一端及CS与Yx间开关电路(6)中晶体管T的集电极c端相连,CS上拉电阻RL的另一端与U1的电源端Vdd相连,...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵波
申请(专利权)人:浪潮电子信息产业集团公司
类型:实用新型
国别省市:37[中国|山东]

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