扩展的用于ＤＲＡＭ检测的快速写入电路制造技术

一种扩展的用于存储器电路中ＤＲＡＭ检测的快速写入电路具有均衡和连接部分，节点连接部分以及写信号处理部分。所构成的快速位线节点结构将所有位线连接起来并通过该快速位线形成一条数据写入通道；因此，ＤＲＡＭ的布局简单而且用于均衡作用的位线的电平稳定性相当可靠。根据本发明专利技术，无需使用Ｉ／Ｏ线，通过位线直接将数据写入每个存储单元，而且有可能在同一时刻快速把数据写入连接到一个所选择的字线上的每个存储单元上。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器件，比如一种高密度的DRAM，具体涉及一种扩展的用于DRAM检测的快速写入电路。随着DRAM的日益高度集成化，要求对多层图形作精密的加工处理，而且DRAM的故障率则取决于灰尘或污染的程度，特别是随着DRAM集成度的提高，故障率也随之增加，于是，近来将DRAM检测电路设置在存储器件的内部，以便进行内部测试。但既使DRAM检测在器件内部完成，该DRAM的检测时间也由于在比较高度集成的情况下而变得更长了。通常的DRAM检测是通过使用检测信号的位单元(X4，X8，X16，)实现该DRAM检测的。该检测所花费的时间是随着集成密度/X位的提高而增加的。因此，集成密度越高，检测时间越长。因为数据的写入和读出要由X位单元通过I/O线执行，而且要将数据相互进行比较，方可检测出错误。为了解决并行写入方法的这类问题，在此提出一种扩展的快速DRAM检测方法。该方法不使用I/O线，通过在位线上直接写入数据并比较数据就可以一次将数据写入每个连接到所选择的字线上的存储单元上，并且还给出一种通过I/O线进行写入的快速写入方法。但是，由于位线B/L和B/L按固定的顺序设置，即B/L，B/本文档来自技高网...

【技术保护点】
在包括有多个读出放大器，多个存储单元和多个ＭＯＳ晶体管的存储器电路中，一种扩展的用于ＤＲＡＭ检测的快速写入电路，其特征在于包括：具有多组带有均衡ＭＯＳ晶体管及在一对每个均连有读出放大器的位线上一对进行相互连接的ＭＯＳ晶体管的均衡和连接装置；通过所选择的字线存取的一个存储单元把该对位线连接到一对节点上的节点连接装置；以及当把数据写入该存储单元时，用来把一个电压差送至上述节点连接装置的信号处理装置。

【技术特征摘要】
KR 1989-6-10 8004/891.在包括有多个读出放大器，多个存储单元和多个MOS晶体管的存储器电路中，一种扩展的用于DRAM检测的快速写入电路，其特征在于包括具有多组带有均衡MOS晶体管及在一对每个均连有读出放大器的位线上一对进行相互连接的MOS晶体管的均衡和连接装置；通过所选择的字线存取的一个存储单元把该对位线连接到一对节点上的节点连接装置；以及当把数据写入该存储单元时，用来把一个电压差送至上述节点连接装置的信号处理装置。2.根据权利要求1中的一种扩展的用于DRAM检测的快速写入电路，其中将上述均衡和连接装置中的均衡MOS晶体管连接在节点之间并在位线均衡期间使用，之中把一个进行连接的MOS晶体管连接在一条位线与一个节点之间，而把另一个进行连接的MOS晶体管连接在另一条位线与另一个节点之间，其特征是上述均衡和连接装置分别按写入方式和...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔勋，赵秀仁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]