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扩展的用于DRAM检测的快速写入电路制造技术
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下载扩展的用于DRAM检测的快速写入电路的技术资料
文档序号:3087839
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一种扩展的用于存储器电路中DRAM检测的快速写入电路具有均衡和连接部分,节点连接部分以及写信号处理部分。所构成的快速位线节点结构将所有位线连接起来并通过该快速位线形成一条数据写入通道;因此,DRAM的布局简单而且用于均衡作用的位线的电平稳定...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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