一种MCU的I/O口扩展电路制造技术

技术编号:8554140 阅读:241 留言:0更新日期:2013-04-06 11:24
本实用新型专利技术适用于电子电路领域,提供了一种MCU的I/O口扩展电路,包括MCU,所述MCU的VDD端口接参考电压Vcc1,所述参考电压Vcc1通过电阻R1连接到MCU的OSC端口以及滤波电容C1,所述MCU的RSET端口接复位信号线,所述MCU的VSS端口接地,所述MCU的P2、P3端口接数据线,所述MCU的P0端口接负载的一端,所述MCU的P1端口分别接电阻R2、电阻R3的一端,所述电阻R2的另一端接负载的另一端,所述电阻R3的另一端接三极管Q1的基极,Q1的射极接地,Q1的集电极接发光二极管D1,D1的另一端通过R4接参考电压Vcc2。这样,不仅使结构简单,而且降低了成本。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

—种MCU的I/O 口扩展电路
本技术属于电子电路领域,尤其涉及一种MCU的I/O 口扩展电路。
技术介绍
目前,在很多电子设备中都会用到MCU,而MCU通过其I/O 口可以控制一些输入输 出器件。而MCU的I/O 口是有限的,在应用时,经常会遇到I/O 口不够的问题。此时,就需 要更换更多I/o 口的芯片或者用多个MCU,这样,不仅使结构复杂,而且成本较高。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术实施例的目的在于提供一种MCU的I/O 口扩 展电路。本技术实施例是这样实现的,一种MCU的I/O 口扩展电路,所述电路包括MCU, 所述MCU的VDD端口接参考电压Vccl,所述参考电压Vccl还与电阻Rl的一端相连,所述 电阻Rl的另一端分别连接MCU的OSC端口以及电容Cl的一端,电容Cl的另一端接地信号 线,所述MCU的RSET端口接复位信号线,所述MCU的VSS端口接地,所述MCU的P2、P3端口 接数据线,所述MCU的PO端口接负载的一端,所述MCU的PI端口分别接电阻R2、电阻R3的 一端,所述电阻R2的另一端接负载的另一端,所述电阻R3的另一端接三极管Ql的基极,所 述三极管Ql的射极接地,所述三极管Ql的集电极接发光二极管D1,所述发光二极管Dl的 另一端通过电阻R4接参考电压Vcc2。进一步地,所述参考电压Vccl还与接滤波电容C2相连,所述滤波电容C2另一端 接地。在本技术的实施例中,通过在MCU的PO、Pl接口接入负载以及发光二极管这 两路外部电路,从而改变以往MCU的PO、Pl接口仅接入负载,需要接另外负载时,还需要另 外IO的问题。这样,不仅使结构简单,而且降低了成本。附图说明图1是本技术实施例提供的MCU的I/O 口扩展电路的电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施 例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本技术,并不用于限定本技术。图1示出了本技术实施例提供的MCU的I/O 口扩展电路,该电路包括MCU,所 述MCU的VDD端口接参考电压Vccl。所述参考电压Vccl还与电阻Rl的一端相连,所述电 阻Rl的另一端分别连接MCU的OSC端口以及电容Cl的一端,电容Cl的另一端接地信号线。所述MCU的RSET端口接复位信号线,所述MCU的VSS端口接地,所述MCU的P2、P3端口接 数据线。所述MCU的PO端口接负载的一端,所述MCU的Pl端口分别接电阻R2、电阻R3的 一端,所述电阻R2的另一端接负载的另一端。所述电阻R3的另一端接三极管Ql的基极, 所述三极管Ql的射极接地,所述三极管Ql的集电极接发光二极管D1,所述发光二极管Dl 的另一端通过电阻R4接参考电压Vcc2。[0011 ] 作为本技术的实施例,所述参考电压Vccl还与接滤波电容C2相连,所述滤波 电容C2另一端接地。通过在MCU的P0、P1接口接入负载以及发光二极管这两路外部电路,从而利用MCU 的P0、P1接口不仅可以控制负载还可以控制发光二极管Dl,从而改变以往MCU的P0、P1接 口仅接入负载,需要接另外负载时,还需要另外IO的问题。这样,不仅使结构简单,而且降 低了成本。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本 技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术 的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MCU的I/O口扩展电路,其特征在于,所述电路包括MCU,所述MCU的VDD端口接参考电压Vcc1,所述参考电压Vcc1还与电阻R1的一端相连,所述电阻R1的另一端分别连接MCU的OSC端口以及电容C1的一端,电容C1的另一端接地信号线,所述MCU的RSET端口接复位信号线,所述MCU的VSS端口接地,所述MCU的P2、P3端口接数据线,所述MCU的P0端口接负载的一端,所述MCU的P1端口分别接电阻R2、电阻R3的一端,所述电阻R2的另一端接负载的另一端,所述电阻R3的另一端接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的射极接地,所述三极管Q1的集电极接发光二极管D1,所述发光二极管D1的另一端通过电阻R4接参考电压Vcc2。

【技术特征摘要】
1.一种MCU的I/O 口扩展电路,其特征在于,所述电路包括MCU,所述MCU的VDD端口接参考电压Vccl,所述参考电压Vccl还与电阻Rl的一端相连,所述电阻Rl的另一端分别连接MCU的OSC端口以及电容Cl的一端,电容Cl的另一端接地信号线,所述MCU的RSET端口接复位信号线,所述MCU的VSS端口接地,所述MCU的P2、P3端口接数据线,所述MCU的 PO端口接负载的一端,...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭春和
申请(专利权)人:深圳市创荣发电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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