在测试存贮器装置时写入数据的方法和测试存贮器装置的电路制造方法及图纸

测试存贮器装置的电路具有数据写入装置、数据检测装置和控制电路。测试存贮器装置时写入数据的方法包括下列步骤：在一对比特线Ｂ／Ｌ和Ｂ／Ｌ之间产生一电压差，以及在存贮单元的电容中直接存贮数据。根据本发明专利技术可在比特线上直接写入数据。此外，在一个周期内能够完整地校验每一存贮单元并大大地减少了测试时间。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存贮器装置，例如DRAM，特别涉及一种可以减少高密度、高集成度的存贮器装置的存贮器测试时间的方法和测试存贮器装置的电路。由半导体制造工艺集成的存贮器装置随着存贮器装置集成密度的增大需要各种精密的工艺。因此，当执行这种工艺时必须避免灰尘和杂质。但是，随着存贮器装置密度的增大，故障率也增大了。因此，存贮器装置有内部RAM测试电路以便在内部对RAM进行测试。即使RAM的测试在内部进行，随着集成度的增大，测试时间也变得更长了。这就是说，在常规的RAM测试中，RAM测试是用测试信号测试每个比特单元(X4、X8、X16)来完成的。测试花费的时间随集成度/×比特而增大。因此，集成度越大，测试时间就越长，因为数据的写入和读出是通过输入/输出线写入或读出每一X比特单元来完成并且数据是相互比较以便检测误差的。本专利技术的一个目的是提供用于DRAM的写入方法，该方法在数据被写入和读出时通过直接在一对比特线上写入和比较数据，不用输入/输出(I/O)线就能检测数据的正确或错误并且还减少了测试时间。本专利技术的另一目的是提供根据该方法实施的RAM测试电路。为了达到上述目的，本专利技术提供了测本文档来自技高网...

【技术保护点】
测试存贮器装置时写入数据的方法包括下列步骤：　　控制电路通过选通－ＭＯＳ晶体管在一对比特线之间产生一电压差以便不用Ｉ／Ｏ线而在该对比特线上直接写入数据以及　　在由字线选通的存贮单元的电容中直接存贮数据。

【技术特征摘要】
KR 1989-6-10 8002/891.测试存贮器装置时写入数据的方法包括下列步骤控制电路通过选通-MOS晶体管在一对比特线之间产生一电压差以便不用I/O线而在该对比特线上直接写入数据以及在由字线选通的存贮单元的电容中直接存贮数据。2.测试存贮器装置时写入数据的方法包括下列步骤控制电路通过选通至少一个MOS晶体管、读出放大器用电源电平或地电平驱动一对比特线而在该对比特线之间直接产生一电压差，以及在由字线选通的存贮单元的电容中存贮数据。3.测试包括许多连接到一对比特线的读出放大器、许多连接到比特线和字线的存贮单元、根据上述许多存贮单元由列选通信号开启以便将I/O线分别连接到每...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]