【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储器,更具体地说涉及半导体存储器中的内源电压发生电路。随着半导体存储器的高度集成化,装设在存储器中的存储元件逐步趋向小型化。因此,若加到存储器上的外电压没有调节好,可能会形成强电场,使存储器受到应力的作用从而破坏存储元件。16兆位级以上的半导体存储器应采用内电压发生电路来产生内电压,从而使外电压的电平降到存储器工作电压电平。举例说,16兆位级以上的半导体存储器应采用通过将5伏外电压降压而得到的通常4伏电压。附图说明图1示出了现有技术的外源电压发生电路,该电路有一个用以产生基准电压Verf的基准电压发生电路100、一个用以将内源电压int.Vcc与基准电压Vref加到比较的比较器200、一个用以在比较器200的控制下将外电压ext.Vcc激励成外源电压int.Vcc的激励器90、和接触基准电位差发生电路(burn-inreferencevoltagegenertingciruit)300。内源电压int.Vcc被加到存储器的存储元件和比较器200的NMDS(n型金属氧化物半导体)晶体管N2上。若内源电压int.Vcc在存储元件消耗功率的情况下降到基准电压Vref以下,则比较器200输出信号G1的电平下降,使激励器90完全完全导通,从而补偿内源电压int.Vcc的下降。另一方面,若内源电压int.Vcc上升到基准电压Vref以上,则比较器200的输出信号G1增加,于是使激励器90截止,从而使内源电压int.Vcc下降到基准电压Vref。若外源电压ect.Vcc的电压电平高于接触基准电位差,则接触基准电位差发生电路300产生逻辑“高” ...
【技术保护点】
一种根据接收的给定外源电压而产生用以加到半导体存储器的存储元件上的内源电压的电路,其特征在于包括:第一基准电压发生装置,用以产生基准电压;比较装置,用以将所述内源电压与所述基准电压进行比较;激励装置,用以在所述比较装置的控制下将外源电压激励成内源电压;和第二基准电压发生装置,用以在所述外源电压的电压电平低于所述基准电压的电压电平时产生控制信号,使所述激励装置完全导通;从而,所述第二基准电压发生装置的所述控制信号防止所述激励装置接收所述比较装置的输出信号,从而将所述外源电压加到所述存储元件上。
【技术特征摘要】
KR 1992-3-31 5350/921.一种根据接收的给定外源电压而产生用以加到半导体存储器的存储元件上的内源电压的电路,其特征在于包括第一基准电压发生装置,用以产生基准电压;比较装置,用以将所述内源电压与所述基准电压进行比较;激励装置,用以在所述比较装置的控制下将外源电压激励成内源电压;和第二基准电压发生装置,用以在所述外源电压的电压电平低于所述基准电压的电压电平时产生控制信号,使所述激励装置完全导通;从而,所述第二基准电压发生装置的所述控制信号防止所述激励装置接收所述比较装置的输出信号,从而将所述外源电压加到所述存储元件上。2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第二基准电压发生装置的所述输出信号的状态随所述外源电压的电压电平而变化。3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第二基准电压发生装置最好至少具有一个电压比较器和分压器。4.一种根据接收的给定外源电压...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐英豪,金奭斌,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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