【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于对一存储器编程的方法，特别涉及用于对一非易失半导体存储器编程的方法。通常，诸如电擦除和可编程只读存储器(EEPROMs)和快速EEP-ROMs之类的非易失半导体存储器是指每比特具有过度价格的大容量存贮介质。为了寻找解决上述问题的方法，目前在多比特单元上开展了研究。一非易失存储器的封装密度相应于在一对一的基础上的存储单元的数。在单个存储单元中一多比特单元至少存贮二个数据比特，因而无须减小一存储单元尺寸而在该相同芯片面积中就可显著地增加该数据的存贮封装密度。为了配置该多比特单元，对于每个存储单元必须对多于三个的阈值电压电平进行编程。例如，为了使每个单元存贮二个数据比特，各个单元通过四个阈值电平等级(即，22＝4)变为可编程。其结果，该四个阈值电平等级逻辑地相应于各自逻辑状态00、01、10和11。在上述多电平编程中，关键是各个阈值电压电平具有约为0.5V的统计学分布。因此，通过精确地调整该各自的阈值电平使该分布值减小时，考虑到每个单元的比特数要增加下，可使更多个电平编程。为了减小上述电压分布，在该编程中通常使用用来反复地编程和检验的技术。在该项...
【技术保护点】
一种用来对具有一控制栅、一浮动栅、一漏极、一源极、和安置在该漏极和源极之间的一沟道区域的非易失存储单元编程的方法，该方法包含如下步骤：将第一电压加到该控制栅以在该沟道区域中形成一反型层，该第一电压被改变以对该存储器单元的至少二个阈值电平编程；将第二电压加到该漏极和将第三电压加到该源极，该第二电压大于第三电压；在对至少二个阈值电平编程期间监控流经漏极和源极之间的电流；和当该被监控电流达到予置参考电流时终止第一电压、第二电压、和第三电压中的任一电压从而中止对该至少二个阈值电平的编程。２、如权利要求１所述的用来对一非易失存储单元编程的方法，其中在对至少二个阈值电平编程期间该参考电流具有一固定值。
【技术特征摘要】
KR 1995-9-18 30440/951.一种用来对具有一控制栅、一浮动栅、一漏极、一源极、和安置在该漏极和源极之间的一沟道区域的非易失存储单元编程的方法，该方法包含如下步骤将第一电压加到该控制栅以在该沟道区域中形成一反型层，该第一电压被改变以对该存储器单元的至少二个阈值电平编程；将第二电压加到该漏极和将第三电压加到该源极，该第二电压大于第三电压；在对至少二个阈值电平编程期间监控流经漏极和源极之间的电流；和当该被监控电流达到予置参考电流时终止第一电压、第二电压、和第三电压中的任一电压从而中止对该至少二个阈值电平的编程。2.如权利要求1所述的用来对一非易失存储单元编程的方法，其中在对至少二个阈值电平编程期间该参考电流具有一固定值。3.一种用来对具有一控制栅、一浮动栅、一漏极、和一源极的非易失存储单元编程的方法，该方法包含如下步骤将一可变的第一电压加到该控制栅；将一第二电压加到该漏极和一第三电压加到该源极；在将第一电压加到控制栅的期间监控流经该漏极和该源极的电流；和当被监控的电流达到一参考电流时终止第一电压加到控制栅、第二电压加到漏极、和第三电压加到源极中的任一个。4.如权利要求3所述的用来对一非易失存储单元编程的方法，其中监控该电流的步骤包括监控在浮动栅上电压的步骤。5.如权利要求3所述的一种用来对非易失存储单元编程的方法，其中监控该电流的步骤包括监控在该浮动栅上的电荷量的步骤。6.如权利要求3所述的一种用来对非易失存储单元编程的方法，其中第一电压加到该控制栅形成安置在漏极和源极之间的沟道区域中的一反型层。7.如权利要求6所述的一种用来对非易失存储单元编程的方法，其中监控该电流的步骤包括监控...
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