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一种对具有控制栅、浮动栅、漏极、源极、和漏极和源极间沟道区域的非易失存储单元编程方法，其包含步骤为将第一电压加到控制栅在沟道区域中形成反型层；改变第一电压对存储单元的至少二个阈值电平编程；将第二电压加到漏极和将第三电压加到源极，第二电压大于...
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