【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及即使当行选择线或列选择线断线时也能可靠地置换到置换选择线的半导体存储器。图7、图8是表示现有的半导体存储器的结构图。在图7中，1是半导体存储器、2是半导体存储器1的存储器阵列、3是输入行地址的行译码器、4是备用行译码器、5是输入列地址的列译码器、6是备用列译码器。7是由行译码器3选择的行选择线、8是由列译码器选择的列选择线。9是有缺陷的不良列选择线。10是由备用列译码器6选择的、置换列选择线9的置换列选择线。11是由备用行译码器4选择的置换行选择线。在如图7那样构成的半导体存储器中，为了与行选择线7或列选择线8的缺陷对应，设有置换列选择线10和置换行选择线11。当选择置换列选择线10时，有缺陷的不良列选择线9保持非选择状态、即处于低电平。但是，当有缺陷的不良选择线9在中途断线时，即使想由列译码器来保持低电平，也不能防止悬浮部分成为高电平、即成为选择状态。此外，因为处于悬浮状态，所以不能在出厂检查时检测出来，需要有特别的检查。为了对此进行改进，考虑设置象图8那样将选择线固定在Vss上的装置。在图8中，2与附图说明图1相同。15是用选择线激活信号激...
【技术保护点】
一种半导体存储器，具有为了选择存储器阵列而连接的多条选择线，其特征在于，包括：由第１信号激活并选择上述选择线的译码器；与低电位电源线和连接到存储单元的位线连接的、同时由第２信号激活后将位线的电位放大的读出放大器；配置在与该读放大器连接的低电位电源线和选择线之间的、由第１信号和第２信号的任何一方或两方控制的、将选择线固定在低电位的开关元件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-1-31 19081/971.一种半导体存储器，具有为了选择存储器阵列而连接的多条选择线，其特征在于，包括由第1信号激活并选择上述选择线的译码器；与低电位电源线和连接到存储单元的位线连接的、同时由第2信号激活后将位线的电位放大的读出放大器；配置在与该读放大器连接的低电位电源线和选择线之间的、由第1信号和第2信号的任何一方或两方控制的、将选择线固定在低电位的开关元件。2.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，具有控制开关元件的控制电路，将第1信号和第2信号输入该控制电路。3.权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，控制电路具有一个输入端输入第1信号而另一个输入端输入第2信号的反相信号的、且输出到开关...
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