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在现有的半导体存储器中，当选择线固定在低电位时，必须在存储器阵列内重新配置电源线Ｖｓｓ，存在出现浪费的问题。具有配置在低电位电源线２４和选择线１６之间的Ｎ型晶体管２６，低电位电源线２４与读出放大器２２连接，读出放大器２２与连接到存储单元的位...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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